KMT32B磁场角度传感器

发布时间:2010-06-10

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德国HL P公司KMT32B磁场角度传感器:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

产品说明

        KMT32B磁阻传感器是基于各向异性磁阻效应的磁场传感器。例如,它可以在磁场强度大于25kA/m应用中独立的传感出磁场方向。传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量45角度。KMT32B磁阻传感器的工作原理是一个平行于芯片表面(X-Y平面)的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号,一个是cos(:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />2a),另一个是sin(2a)a是传感器和磁场方向的夹角。

        KMT32B磁阻传感器具有无接触角度定位,SMD封装,设计线性优化,低成本,高精度,宽工作温度范围(-40+150+160),低功耗,符合RoHS适合恶劣环境,达到30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量,马达控制,机器人,相机定位,汽车,可取代电位器等行业领域。

技术指标

KMT32B磁阻传感器 

        型: 角度传感器

        程:

度: 0.05deg

        出: 频率输出

供电电源: 5V

工作温度: -40~+150

电气连接: PC板安装

        点: 霍尔效应

典型应用: 编码器,电动机,方向舵,角度测量,马达控制,机器人,相机定位,汽车,可取代电位器

        KMT32B磁场传感器适合在低磁场强度下的高精度角度测量应用。(通常H0=25kA/m可以在降低精度应用中到H0=8kA/m;注意地球磁场强度)

 

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