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公司理念
经营理念：诚信、敬业、*。
用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷-。双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范围内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较-时，则说明该二极管已损坏。全桥的检测-多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。Rac电子资料网检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、两个“~”极与“-”极之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常。
即可判断该全桥是否已损坏。若测得全桥内四只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷-，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。半桥的检测半桥是由两只整流二极管组成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常，即可判断出该半桥是否正常。-压硅堆内部是由多只-压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的-压硅堆，其正向电阻值-于200kΩ，反向电阻值为无穷-。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该-压硅堆已软击穿损坏。用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的-频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷-。
若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷-，则说明被测变阻二极管已损坏。二端型肖特基二极管可以用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷-。若测得正、反电阻值均为无穷-或均接近0，则说明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，判别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。正向特性测试把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷-值。
说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷-值或接近无穷-值，二极管就是合格的。经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，目前发光二极管广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。发光二极管的很多特性是普通发光器件所无法比拟的，主要具有特点有：安全、-效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固。因此，发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源[3]。目前，发光二极管在很多领域得到普遍应用，发光二极管在电子用品中一般用作屏背光源或作显示、照明应用。从-型的液晶电视、电脑显示屏到媒体播放器MPMP4以及手机等的显示屏都将发光二极管用作屏背光源[3]。
发光二极管在汽车以及-型机械中得到广泛应用。汽车以及-型机械设备中的方向灯、车内照明、机械设备仪表照明、-前灯、转向灯、刹车灯、尾灯等都运用了发光二极管。主要是因为发光二极管的响应快、使用寿命长（一般发光二极管的寿命比汽车以及-型机械寿命长）[3]。由于发光二极管较普通发光器件具有效率-、能耗小、寿命长、光度强等特点，因此矿工灯以及井下照明等设备使用了发光二极管。虽然还未完全普及，但在不久将得到普遍应用，发光二极管将在煤矿应用中取代普通发光器件[3]。在当今繁华的商业时代，霓虹灯是城市繁华的重要标志，但霓虹灯存在很多缺点，比如寿命不够长等。因此，用发光二极管替代霓虹灯有着很多优势，因为发光二极管与霓虹灯相比除了寿命长。
还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。发光二极管替代霓虹灯将是照明设备发展的必然结果[3]。Esakidiode隧道二极管；三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放-成幅度值较-的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件，具有电流放-作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
电子三极管Triode这个是英汉字典里面"三极管"这个词汇的英文翻译，这是和电子三极管-早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词-初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是*不可以翻译成Triode的，否则就麻烦-咯，严谨地说，注:这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极(Unipolar)结构的，是和双极(Bipolar)是对应的，其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，VMOS是在MOS的基础上改进的一种-电流，-放-倍数(跨道)*功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放-系数和工作电流-幅提升，但是同时也-幅增加了MOS的输入电容。
是MOS管的一种-功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨-的差异。1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家--巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放-的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的-得多的电流，因而产生了放-效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果--晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨-的影响，所以被称为"献给世界的圣诞节礼物"。这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
晶体管促进并带来了"固态"，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨-的经济效益。由于晶体管改变了电子线路的结构，集成电路以及-规模集成电路应运而生，这样制造像-速电子计算机之类的-精密装置就变成了现实。晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用-多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，(其中，N是负极的意思(代表英文中Negative)，N型半导体在-纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思(itive)是加入硼取代硅，产生-量空穴利于导电)。
