气体种类繁多，性质各异，因此，气体传感器种类也很多。按待检气体性质可分为：用于检测易燃易爆气体的传感器，如氢气、一氧化碳、瓦斯、汽油挥发气等；用于检测有毒气体的传感器，如氯气、硫化氢、砷烷等；用于检测工业过程气体的传感器，如炼钢炉中的氧气、热处理炉中的二氧化碳；用于检测大气污染的传感器，如形成酸雨的NOx、CH4、O3，家庭污染如甲醛等。按气体传感器的结构还可分为干式和湿式两类；按传感器的输出可分为电阻式和费电阻式两类；按检测里可分为电化学法、电气法、光学法、化学法几类。
气敏二极管的特性曲线左移可以看作二极管导通电压发生改变，这一特性如果发生在场效应管的栅极，将使场效应管的阈值电压UT改变。利用这一原理可以制成MOSFET型气敏器件。 氢气敏MOSFET是一种*典型的气敏器件，它用金属钯(Pd)制成钯栅。在含有氢气的气氛中，由于钯的催化作用，氢气分子分解成氢原子扩散到钯与二氧化硅的界面，*终导致MOSFET的阈值电压UT发生变化。使用时常将栅漏短接，可以保证MOSFET工作在饱和区，此时的漏极电流ID=β(UGS—UT)2，利用这一电路可以测出氢气的浓度。
4、稳定性 实际应用中，存在UT随时间漂移的特性，为此，采用在HCl气氛中生长一层SiO2绝缘层，可以显著改善UT的漂移。 除氢气外，其他气体不能通过钯栅，制作其他气体的Pd—MOSFET气敏传感器要采用一定措施，如制作CO敏MOSFET时要在钯栅上制作约20nm的小孔，就可以允许CO气体通过。另外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催化作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。
