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zexu191116
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IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT电流的主要部分。此时，式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～1V；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。式中Imos——流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和。
又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间，tri为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和，漏源电压的下降时间由tfe1和tfe2组成。IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，式中：td(off)与trv之和又称为存储时间。IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限。
本公司长期经销以下产品及型号：
FF800R12KE3
FF1200R12KE3
FD600R17KE3-B2
FD800R17KE3-B2
FD1200R17KE3-B2
BSM50GAL120DN2
BSM75GAL120DN2
BSM100GAL120DN2
BSM150GAL120DN2
BSM200GAL120DN2
BSM300GAL120DLC
FD200R12KE3
FD300R12KE3
BSM75GAR120DN2
BSM100GAR120DN2
BSM150GAR120DN2
BSM200GAR120DN2
BSM300GAR120DLC
DF200R12KE3
DF300R12KE3
BSM30GD60DLC
BSM30GD60DLC_E3224
BSM50GD60DLC
BSM50GD60DLC_E3226
BSM75GD60DLC
BSM100GD60DLC
BSM150GD60DLC
FS6R06VE3_B2
FS10R06VE3
FS10R06VE3_B2
FS10R06VL4_B2
FS10R06XL4
FS15R06VE3_B2
FS15R06VL4_B2
FS15R06XE3
FS15R06XL4
FS20R06VE3_B2
FS20R06XL4
FS30R06VE3
FS30R06XE3
FS30R06XL4
FS50R06YE3
FS100R06KE3
FS150R06KE3
FS150R06KE3_B4
BSM50GP60G
FB10R06KL4
FB10R06KL4G
FB15R06KL4B1
FB20R06KL4
FB20R06KL4_B1
FP10R06KL4_B3
FP10R06W1E3
FP10R06YE3_B2
FP15R06W1E3
