zexuly191206
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而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制。
而有些故障模态往往与变频器正常运行时的某种状态时非常相似，造成了难以准确匹配故障。电压检测法通过考察变频器故障时电机相电压、电机线电压或电机中性点电压与正常时的偏差来诊断故障。只需要四分基波周期便能检测出故障，大大缩短了诊断时间，只是这种方法需要增加电压传感器，通用性差[4]。电流检测法*为常用，其又派生出平均电流Park矢量法、单电流传感器法和电流斜率法等，平均电流Park矢量法以Coimbra大学的J.A.ACaseiro教授发表的几篇文章为代表。该方法在α?β坐标系下进行，通过3-2变换得到Iα和Iβ，在一个电流周期内求其平均值，根据平均值求得平均电流Park矢量。故障出现时Park矢量将不为零。
而实现结温提升的方法有两种:一是降低IGBT的饱和电压，降低IGBT的损耗;另外一个手段就是提高模块的焊线工艺，提升它的可靠性和功率交变能力。提高IGBT的结温可以使客户获得更大的使用功率，还可以降低损耗，散热器温度和模块壳温也随之降低了，允许模块输出更大的电流，同时IGBT的可靠性提升大大延长了模块的使用寿命。为了满足新兴电动汽车行业对功率模块的要求，三菱电机推出了满足汽车应用要求的通用型功率模块，来推动电动汽车行业的发展。三菱电机开发的电动汽车用IGBT模块J-系列EVT-PM，采用2合1的压铸模封装结构，主要应用于电动汽车的马达驱动逆变器。采用低感抗的两单元压注模封装，采用无铅焊接，混合动力车的动力来自内燃机和电机。
