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会对基区电离施主ND形成过补偿，使nn+结处也形成较强的电场，此时电场分布如图3所示。类似于阳极侧(图3左侧)，当阴极侧(图3右侧)电场梯度的*值|dE/dx|=q(n+navND)/ε增加，使电场峰值达到临界场强时，n/n+结也将发生雪崩碰撞电离。nn+结碰撞电离产生的空穴向阳极侧移动经过PN结空间电荷区又会增强该处的动态雪崩，即此时形成相互促进的正反馈动态雪崩，称之为三度动态雪崩。1.驱动器的工作电压Vp一般为24V。2.5V电平输入信号可直接连接，如信号的高电平Vim高于5V，应在输入端串连一个电阻Ri和电容Ci，Ri使输入电流为Ipwm，即Ri=(Vim-Vpwm)/Ipwm)=(Vim-5)/10mA;Ci=470pF。
并予以接地。☆人体亦须接地。湿度越高越容易泄放静电（静电之漏电越大），因此，作业环境之相对湿度必须保持在50％以上。当相对湿度过70％时，几乎完全不会产生静电。特别是整个作业环境未实施静电防止对于策之场合，对于作业人员之注意事项也各有不同，必须定期地指导各作业人员。☆作业服装之穿戴。☆接地睕带之佩带。☆在打开包装取零件时必须先将人体予以接地放电。☆仅可在已经经由电阻接地之场所作业。☆区别可能带电的物品（黏贴带、橡皮盖、塑料膜）。☆区别已实施静电防止之场所及未实施之场所。☆测试装置一定要接地。☆在将受测组件架上测试装置之前必须先将试验电压归零。☆使用特性曲线瞄绘仪（CURVETRACER）时。
那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的损耗，并启动了第二个电荷流。*的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流);空穴电流(双极)。当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形。
防止干扰信号进入控制电路。控制电路由整流控制电路、PI给定调节电路、PWM及其驱动电路等组成。整流控制电路用以保证市电整流后输出电压的稳定。PI给定调节电路和PWM及其驱动电路实现直流高压的稳定和自动调节。整流控制电路采用集成在调压模块内的厚膜集成电路，整流后的直流电压经电阻分压器取样并经隔离电路送人PI调节器的反馈端。PI调节器在给定和反馈的共同作用下，经放大后输出一直流信号给智能调压模块控制端，以控制晶闸管的触发角，实现直流输出电压的稳定调节。辅助电源采用集成一体化高精度线性电源，各电源地分别独立，以减小地电流干扰信号对控制电路的影响。PI给定调节电路由PLC和D/A变换模块、Pl调节器、反馈信号取样及隔离电路等组成。
防护方案防止栅极电荷积累及栅源电压出现尖峰损坏IGBT——可在G极和E极之间设置一些保护元件，如下图的电阻RGE的作用，是使栅极积累电荷泄放(其阻值可取5kΩ);两个反向串联的稳压二极管V1和V2，是为了防止栅源电压尖峰损坏IGBT。另外，还有实现控制电路部分与被驱动的IGBT之间的隔离设计，以及设计适合栅极的驱冲电路等。然而即使这样，在实际使用的工业环境中，以上方案仍然具有比较高的产品失效率——有时甚至会出5%。相关的实验数据和研究表明：这和瞬态浪涌、静电及高频电子干扰有着紧密的关系，而稳压管在此的响应时间和耐电流能力远远不足，从而导致IGBT过热而损坏。将传统的稳压管改为*的瞬态抑制二极管(TVS)。
如果过流信号继续存在，则将进入软关断的进程。在8和16脚间接一个电容Cdelay，可以设定延迟判断时间Tdelay，在Vp=24V时的关系为Cdelay/Tdelay(pF/μS)=0/1.4，47/2.4，100/4.1，150/5.5,220/7.8。一般情况下可设置在2-4μS左右。7.驱冲电压从Voh-Vdrop降到0电平的时间。在16脚接一个电容Csoft，可加大软关断时间，在Vp=24V时的关系为Csoft/Tsoft(nF/μS)=0/2.2，2.2/3.5，4.7/4.6，10/7。一般情况下可设置在3-4μS左右。软关断开始后，驱动器封锁输入PWM信号，即使PWM信号变成低电平。
如空调、车灯、后备电源等，电压、功率相对较低，工作条件也相对较好。主牵引变流器需要3.3千伏或6.5千伏高压模块，辅助变流器所需的电压则相对比较低，1.7千伏模块就能满足。它们均需要选用牵引级IGBT模块，因为机车工作环境非常恶劣。牵引级IGBT是电子应用领域要求等级*的IGBT，对可靠性和产品生命周期的要求极高。牵引级IGBT的功率高达1千万瓦，每个IGBT承受的*电压可高达6.5千伏，标称电流高达600安。牵引级高压大功率IGBT的工作环境严酷，负载剧烈变化，对IGBT模块的寿命影响很大，这就需要采用特定的技术来提高器件的温度循环寿命和功率循环寿命。一般工业级IGBT功率模块的工作温度为125℃。
如检测电路的基准电压飘移，导致保护动作起控点变化，起不到应有的保护作用。1.IGBT是一种巨型的晶体管，和传统变压器的关系并不大。但是IGBT是一种未来用途很广的电力电子，目前已经是电力传动和新能源等高科技产业的核心元件。现今已有部分取代铜铁(传统变压器)铝(电容器)产业的倾向。未来的直流输变电，交流输变电，电解铝等设施可能不再需要变压器。IGBT可以用于变频器，中频感应炉，静态无功补偿，如果这些是低压设备就需要一个与电网匹配的高压变压器，比如:6KV-380V，10KV-690V。有的还是移相变压器。2.近年来IGBT驱动变压器已经运用到了各大行业中，其具有很多优点。①耦合电容低，②漏感小，④抗电强度高。
均流特性分析和电流路径优化：IGBT封装设计和部分电驱动系统设计用户还关注IGBT的均流特性。Maxwell可通过静态或瞬态电磁场分析，评估IGBT在各种正常或故障工况电流激励下的电磁性能，有助于均流设计、传导路径优化，热设计、结构设计等。电磁、热、结构耦合特性分析：IGBT封装和部分电驱动系统设计用户还需要考虑多物理场耦合设计问题，因为IGBT传递大电流时可能会产生不均匀分布的电磁损耗和电磁力，导致局部过热或应力形变过大而导致IGBT失效或损坏。Maxwell和Mechanical、Icepak可轻松解决单/双向的电磁与热、电磁与结构、热与结构、电磁与流体等多物理场耦合分析问题。热模型提取及热特性分析：部分IGBT封装和电驱动系统设计用户需要考虑IGBT模块散热系统设计及其热特性对系统性能的影响。
