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将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
前者之具体实例为FET（FIELDEFFECTTRANSISTOR），后者则有BJT（BIJUNCTIONTRANSISTOR）及SCR（SILICONCONTROLLEDRECTIFIER）等。如图所示为这些大功率组件的构造简图。这些组件均有3个端子，在组件内部有2~3个PN接合存在。FET和BJT内部的PN接合十分相似（不过，FET为纵向接合，BJT则为横向接合），不过，两者之动作原理完全不同，FET自始就只有一个通道（CHANNEL）存在，换句话说，泄极（DRANIN）和源极（SOURCE）间处于导通状态。反之BJT之场合，在射极（EMITTER）和集极（COLLECTOR）之间至少有一个逆方向PN接合二极管存在。
逆变器与电动机构成的调速传动系统进入实用化阶段已经有近20年的历史。调速系统中的核心“变频器”是一个复杂的电子系统，易受到电磁环境的影响而发生损坏。工业系统运行过程中，生产工艺的连续性不允许系统停机，否则将意味着巨大的经济损失。特别是在一些特殊的应用场合，如自动化和宇宙空间系统、核能和危险的化学工厂中，更不允许逆变器因故障停机。由于系统可自动维护性、生存能力等指标的要求明显提高，近年来对具有容错能力的控制系统的研究得到了更多的关注。高故障容限控制系统应迅速地进行故障分析，故障后主动重构系统的软硬件结构，实行冗余、容错等控制策略，确保整个系统在不损失性能指标或部分性能指标降低的情况下安全运行，规避异常停机所造成的巨大经济损失。
