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成本-，90年代基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。芯片上引线封装。LSI封装技术，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同-小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。陶瓷QFP。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝-7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装。
并于1993年10月开始投入批量生产。多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三-类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么-，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度-于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是--的，但成本也-。小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP(见QFP)。美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。QFI的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。模压树脂密封陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。陈列载体，BGA的别称(见BGA)。印刷电路板无引线封装。
日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。塑料扁平封装。塑料QFP的别称(见QFP)。部分LSI厂家采用的名称。陈列引脚封装。插装型封装，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于-速-规模逻辑LSI电路。成本较-。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装型PGA)。驮载封装。指配有插座的陶瓷封装。
形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用，90年代已经普及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84。J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现在已经出现用陶瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P－LCC等)。
已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极的封装称为QFN(见QFJ和QFN)。有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ和QFN)。LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P－LCC表示无引线封装，以示区别。四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP本体制作得较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。
