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波及集成电路，造成故障的进一步扩-。不允许带电使用烙铁焊接，要确认烙铁不带电，-好把烙铁的外壳接地，对MOS电路更应小心，能采用6~8V的低压电烙铁就更安全。焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，-好用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝-多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。
测量集成电路引脚直流电压时，应选用表头内阻-于20KΩ/V的万用表，否则对某些引脚电压会有较-的测量误差。功率集成电路应散热良好，不允许不带散热器而处于-功率的状态下工作。如需要加接外围元件代替集成电路内部已损坏部分，应选用小型元器件，且接线要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要处理好音频功放集成电路和前置放-电路之间的接地端。球形触点阵列，表面贴装型封装。在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为阵列载体(PAC)。引脚可过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；
而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题（见有图所示）。带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。表面贴装型封装，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP-3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是-简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。双列直插式封装。插装型封装，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是-普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
