表1中罗列了三种不同存储方式的不同，由于片内EEPROM和串行EEPROM的存储介质均为EEPROM，所以其擦写的操作时间是差不多的，不同之处是串行EEPROM在进行写操作时会受到I2C总线速度的影响。相比而言读时间则是片内器件占有优势，因为片内EEPROM是直接访问片内地址的方式读出数据，效率上比总线方式访问会快很多。
VMIC / GE Fanuc VMIVME-2232-100 32-Channel Relay Output
GE VMIVME-7651 Single Board Computer & I/O Board
GE-Fanuc VMIVME 7664 PCB 332-007664-545 A Working
VMIC VMIVME-2511 VMEbus PROCESSOR MAINFRAME BOARD
GE Fanuc VMIC-4120 VMIVME Analog Out 16 Channel VMEbus
VMIC VMIVME-1150 64-Bit Optical Couple Digital Input Bd
VMIC VMIVME-0427-140 VMEbus Module Board
VMIC VMIVME 1150 VMIVME-1150
VMIC VMIVME-2232 32-CH RELAY OUTPUT VME BOARD
AMAT VMIVME 55305 # 332-000132-C
VMIVME 2170A
VME Microsystems VMIVME-1181 Instruction Manual
