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发布时间:2020-03-03
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以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于家用电器、相机和手机。国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看,IGBT是一个值得期待的市场,可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控,在2014年6月*研制出8寸IGBT*芯片,打破国际垄断[5]。并且随着各国都将削减可再生能源及交通等领域的支出,根据的调查报告显示,各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏,2014年稍稍减速,待经济复苏并稳定后,从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降,但随着国内技术的进步,其发展前景还是十分被看好的。
以保证IGBT的零电流开通,即tEF—tON1≥0。tEF—tONl的值称为占空比损失,tONl为IGBT的开通时间。实际应用中Lx2随温度改变而变化,故LX2的选择还需通过试验进行调整。300A逆变焊接电源采用逆变器为半桥式的开关电路,如图1所示。其中,Cl、C2作为桥的两臂,IGBT(Vi、V2)作为桥的另外两臂;桥对角线接高频变压器原边绕组,高频变压器副边绕组的高频交变电压经Ⅵ》:、VD2全波整流为直流电压。控制系统采用带软启动功能的电流闭环反馈系统,具有恒流源特性和过流、过温保护功能。基流、占空比、叠加的脉冲频率、起弧和收弧时间均可根据焊件的材料、壁厚、焊接速度及工艺环境等进行灵活的调节。
以减小主结边缘处的载流子富集和电场集中。(5)在有源区采用特殊设计和工艺,使有源区的静态击穿电压和动态雪崩钳位电压都低于非有源区(含结终端区和栅汇流条、栅焊盘区)的击穿电压。如图8所示。基于通过寿命控制优化快速扫出内部载流子的理念,新设计的3.3kVIGBT模块具有快速开关和快速恢复特性。在谐振DC/DC转换器模拟电路中,与传统高速模块比,初级端IGBT的损耗降低15%,次级端二极管的损耗降低47%。通过降低IGBT和二极管的损耗,新设计的模块将适用于双向和中频应用,例如DC/DC谐振转换器。这一设计概念也可用于6.5kVIGBT和其他电压级别器件。因此,可以考虑多种中频应用电路拓扑。另外,我们还在模拟电路中评估了SiC-JBS二极管。
以确保焊缝质量和工作的可靠性。高频变压器原边桥臂开关选用IGBT,副边开关器件采用两组6X60A/400V的快速整流管。因整流管的关断损耗与反向恢复时间成正比,应选择反向恢复时间小的二极管,以提高整机的工作效率。输出电抗器L串联在弧焊逆变器的盲流输出回路中,它起到滤波、限制短路电流上升率(disd/dt)和改善动态特性的作用。增大L值,滤波效果好,出disd/出受到抑制,有利于电弧的稳定;但若L值增得太大,则输出的直流电流中没有了叠加的高频脉冲电流,对焊接薄工件时容易熔通。弧焊逆变器的动态特性是指弧焊逆变器能提供的电压[Uf=f(t)]和电流[If=f(t)]对负载或交流输入电压突变适应的能力。
正转洗涤l5s,暂停3s,反转洗涤l5s,暂停3s,为一次小循环。若小循环次数不满3次,则继续正转洗涤l5s,开始下一个小循环;若小循环次数达到3次,则开始排水。3.当水位下降到低水位时,开始脱水并继续排水,脱水时间为10s,10s时间到,即完成一次大循环。若大循环未满3次,则返回进水,开始下一次大循环;若大循环次数达到3次,则进行洗完报警。报警10s后结束全部过程,自动停机。4.洗衣机“正转洗涤l5s”和“反转洗涤l5s”过程,要求使用变频器驱动电动机,且实现3段速运行,即先以30Hz速度运行5s,接着转为45Hz速度运行5s,*5s以25Hz速度运行。5.脱水时的变频器输出频率为50Hz,设定其加速、减速时间均为2s。
正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。国际整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的快速IGBT可*限度地减少拖尾效应,关断时间不过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的*器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200VA,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联。

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正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的快速IGBT可*限度地减少拖尾效应,关断时间不过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200VA,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路。
本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题,就其工作原理进行分析,设计出具有过流保护功能的驱动电路,并进行了仿真研究。随着现代电力电子技术的高频大功率化的发展,IGBT在应用中潜在的问题越来越凸出,开关过程引起的电压、电流过冲,影响到了逆变器的工作效率和工作可靠性。为解决以上问题,过电流保护、散热及减少线路电感等措施被积极采用,缓冲电路和软开关技术也得到了广泛的研究,取得了迅速的进展。本文就针对这方面进行了分析。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此,栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。
可以是3组300A,或者4组250A,也就是12个IGBT,这样放大,可以承受很大的瞬间电流。变频器*核心的就是IGBT,成本*的也是IGBT,体现一个的也是在IGBT的运用能力上。变频器中IGBT模块相对于单管串并联使用的优势:单管:成本低,装配工艺复杂,故障率高。模块:成本高,装配工艺简单,故障率低。将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1ec2e2之间以及栅极G与ee2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为*;将表笔反过来。
可降低生产本钱25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性*。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流。
目前已成为应用*广泛的电力电子器件。绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管,在结构上与功率MOSFET相似,只是原功率MOSFET的漏极和漏区之间额外增加了一个P+型层。图2所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极型晶体管结构剖面图,N+区称为源区,附于其上的电极称为“发射极”(等效于功率MOSFET中的源极)。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为“栅极”。N-层为漂移区,N+层为缓冲区(这个在IGBT中并非必需)。IGBT的结构中,栅极和源极与功率MOSFET相似,IGBT的结构与功率MOSFET的不同之处在于IGBT在N沟道功率MOSFET的N+层上增加了一个P+层,形成PN结J1,并由此引出漏极,在IGBT中称为“集电极”。
电容器Cl和C2为均压电容,R1和C3为主电路的吸收网络。T为高频变压器,为-f防止变压器产生单向磁化,变压器磁心的磁通密度应选得足够大。输出整流二极管V3和V4为快速恢复二极管,恢复时间约75ns。快速恢复二极管的吸收网络由Rz、C5和R,、C4组成。吸收网络的作用是降低功率开关管和快速恢复二极管在换流时产生的过冲电压。Li为输出电抗器,其电感量由*小焊接电流及其过渡过程决定。ZX7-315的控制方案如图2所示。对于弧焊工艺来说,要求弧焊电源的外特性能在弧长变化时,保持弧焊电流的稳定性。因此在设定了弧焊电流的参考值后,采用电流闭环控制,将检测到的反馈电流与弧焊电流的参考值进行比较,其误差信号通过误差放大器调制PWM发生器。

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