而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。当集电极被施加一个反向电压时，J1就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC和速度相同)PT器件的压降高的原因。
而随着PLC技术的发展，用PLC作为控制器就能很好的满足全自动洗衣机对自动化的要求，并且控制方式灵活多样，控制模式可以根据不同场合的应用而有所不同。自动化的飞速发展使得洗衣机由初始的半自动洗衣机发展到现在的全自动洗衣机，现在又正向智能洗衣机方向发展。IGBT主要应用于工业洗衣机中的变频器部分:变频器(Variable-frequencyDrive，VFD)是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率。
此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切;在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极*电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为5。IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似.也可分为饱和区放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平。
此曲线对应一个Lx、C值。电路中的Lx值已知后，可选定C值。Lx主要由漏抗来决定，可以通过测量获得。饱和电感的磁链数可用伏秒积来表示，变压器原边电流的波形如图6所示。①在B点之前LX2为饱和状态。②在环流期BC段的饱和电感的伏秒数为Uc×tBC。③死区CE段中的CD段饱和电感的伏秒数为(Uc十E)×tCD，DE段电流反相饱和电感的伏秒数为Uc×tDE。④在IGBT开通初期，LX2上的伏秒数为(Uc十E)tFF。在图7中，A、B、C、D、E、F定义如下:A点为前臂关断点;B点为Lx2的饱和电流点;C点为滞后臂关断点;D点为LX2的电流反相点;E点为IGBT开通时刻;F点为LX2的饱和点。之，Lx2的磁链数保证tEF的值大于IGBT的开通时间tON1。
此时，通态电压Uds(on)可用下式表示Uds(on)＝Uj1＋Udr＋IdRoh式中Uj1——JI结的正向电压，其值为0.7～IV；Udr——扩展电阻Rdr上的压降；Roh——沟道电阻。通态电流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流过MOSFET的电流。由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压降为2～3V。IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。．动态特性IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on)为开通延迟时间。
