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则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。IGBT的转移特性是指输出漏极电流Id与栅源电压Ugs之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分漏极电流范围内，Id与Ugs呈线。*栅源电压受*漏极电流限制，其*值一般取为15V左右。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为IGBT电流的主要部分。
则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，*在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇，当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查。
优化的栅极驱动与IGBT集成，布局合理，无外部驱动线。6)模块内部已采取防静电措施，外部无须再采取防静电措施。1)配置的单片机数字自动控制，应用中可根据需要设定运行参数，关机或掉电后不丢失。2)配置的控制盒上的数码管可以显示相应的频率及电流。控制盒上带有电位器，可进行手动控制。当需要自动控制时，可通过内部程序以及设定实现全自动控制。2.集成IGBT变频器型号规格及型模块型号规格见表1，模块型号义释见图1，变频器模块技术参数见表2。模块内部电原理图如图2所示，为保证变频器模块安全工作，本系列模块集成了过电流保护、短路保护和过热保护等。当模块发生异常时，集成IGBT变频器模块配置的控制盒上的数码管将显示对应故障的代码。
会对基区电离施主ND形成过补偿，使nn+结处也形成较强的电场，此时电场分布如图3所示。类似于阳极侧(图3左侧)，当阴极侧(图3右侧)电场梯度的*值|dE/dx|=q(n+navND)/ε增加，使电场峰值达到临界场强时，n/n+结也将发生雪崩碰撞电离。nn+结碰撞电离产生的空穴向阳极侧移动经过PN结空间电荷区又会增强该处的动态雪崩，即此时形成相互促进的正反馈动态雪崩，称之为三度动态雪崩。1.驱动器的工作电压Vp一般为24V。2.5V电平输入信号可直接连接，如信号的高电平Vim高于5V，应在输入端串连一个电阻Ri和电容Ci，Ri使输入电流为Ipwm，即Ri=(Vim-Vpwm)/Ipwm)=(Vim-5)/10mA;Ci=470pF。
并予以接地。☆人体亦须接地。湿度越高越容易泄放静电（静电之漏电越大），因此，作业环境之相对湿度必须保持在50％以上。当相对湿度过70％时，几乎完全不会产生静电。特别是整个作业环境未实施静电防止对于策之场合，对于作业人员之注意事项也各有不同，必须定期地指导各作业人员。☆作业服装之穿戴。☆接地睕带之佩带。☆在打开包装取零件时必须先将人体予以接地放电。☆仅可在已经经由电阻接地之场所作业。☆区别可能带电的物品（黏贴带、橡皮盖、塑料膜）。☆区别已实施静电防止之场所及未实施之场所。☆测试装置一定要接地。☆在将受测组件架上测试装置之前必须先将试验电压归零。☆使用特性曲线瞄绘仪（CURVETRACER）时。
