但是在实际产品实验中，功率晶体管技术规格的裕量不可能选得这么大，大电流、高电压环境下工作的诸多因素在实验状态并不可知，上电即烧管子的现象屡见不鲜。有些管子的现象比较温和，但是更多的是过流、过压造成的激烈损坏，使功率晶体管“”，除了自身碎裂，还会导致“放烟花”、“放炮”，这会给实验者的心理造成压力。更为不利的是，炸管往往发生在瞬间，我们没有时间来观察损坏的原因;盲目上电会损坏很多管子，却不能解决问题。如果经常需要做功率电路实验，如何避免炸管是个很现实的问题。要避免炸管，工程师们自然各有各的方法，下面的是一种较为业余的方法，供入门者参考。接触式调压器又称为自耦调压器(图1)，虽然与市电不隔离，却可以获得连续可调的电压;加上整流滤波电路后。
但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内。
这要以增大关断损耗为代价。3.综合2两点可知，IGBT通常在过流、高压和低栅电阻条件下才会发生显著的的动态雪崩。在厂商数据表(datasheet)所给定的额定电流、电压以及较大栅电阻条件下，一般是可以安全关断的，因此数据表会给出一个矩形的关断SOA。但正如本文引言部分所述，在高压领域的实际应用需求中，往往会对器件的坚固性有要求，因此实际器件坚固性的指标必须像图6那样大大越数据表中的SOA[4]，才能具备市场竞争力。因此，研究IGBT的动态雪崩问题，往往要针对过流、低栅阻、大杂散电感(可诱生过压)、非箝位感性开关(UIS)(可产生高于额定电压的高压)和短路(高压及过流同时存在且维持数μs至10μs时间)等条件展开。
即如何在设计阶段考虑IGBT开关特性对电机驱动电路及系统性能的影响。Simplorer可根据供货商提供的datasheet实现特征化IGBT建模（包含各种特征参数和特性曲线），并可一键生成IGBT的半桥测试电路和系统仿真模型，高效解决IGBT高精度建模和开关特性测试问题。寄生参数提取及传导特性分析：IGBT封装设计和部分电驱动系统设计用户都关注传导路径的寄生参数对IGBT开关特性和系统性能的影响，这就需要提取IGBT封装的寄生参数并集成到系统设计中。Q3D可直接通过电磁场求解输出其原始或降价RLCG矩阵，通过动态链接集成到驱动电路或系统设计中，分析寄生参数对IGBT开关特性和传导特性的影响。
改变占空比，驱动IGBT，调节输出电流，达到输出电流稳定乏目的。若采用DSP实现电弧电流的恒定，DSP的外围不设置PWM发生器，PWM信号是由其内部的事业管理部产生的。在焊接过程中，由于熔滴下落造成弧长变短，甚至产生短路。这时，电源的输出电压将急剧下降。此时，需要引入电压反馈电路(如图2中的虚线部分所示)。当电弧电压低于15V时，电子开关K闭合，电压反馈网络接入电压闭环控制回路。反馈电压Uf、反馈电流If与参考电流J，送入比较器进行比较，其误差信号控制PWM发生器输出脉冲的占空比增大，弧焊电源输出的弧焊电压增高，当弧焊电压达到15V时，电子开关K被切断，电压反馈网络退出控制回路，电弧电流只受电流闭外回路的控制。
