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恒定在参考电流值上。同类型的IGBT弧焊逆变电源还有ZX7-ZA7-500等，其*焊接电流分别为400A和500A。ZX7-500的主电路为全桥式逆变电路，其原理图如图3所示。ZX7-500的主要技术参数见表1。M2-1250为适用于埋弧焊的IGBT弧焊逆变电源，其结构图如图4-14所示。从图中可1，埋弧焊的IGBT弧焊逆变电源有由供电系统、电子功率系统、电子控制系统和给定反馈系统等组成。MZ-1250的主电路为全桥式逆变电路，如图5所示。采用全桥式逆变电路的主要目的是，与其他类型电路相比，全桥式逆变电路在功率开关管承受相同的反向击穿电压和集电极电流情况下，能输出更大的功率。四个功率开关管并联RCD缓冲电路。
给定信号由PLC程序设置，它包含了上升斜波函数及下降斜波函数，运算后的数字量经D/A变换模块输出到给定电位器，调节电位器能调节PI调节器的给定信号的大小。反馈信号取自高精密电阻分压器的低压臂并经隔离电路输入到PI调节器的反馈端。PI调节器由TIA94内部放大器和外接电阻、电容组成，具体原理电路如图3所示。PWM及驱动电路的原理图如图3所示。PWM信号由TLA94调制，TL494内部的另一放大器外接电流信号作为过流保护用。电流传感器采用LEM公司生产的电流检测隔离功率器件，能保证控制电路和主电路的可靠隔离，具有动态响应快、取样电流信号与输出电流线性度好的特点，能有效克服高压电路的干扰信号对取样电路的影响。
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。
起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴(少子)，对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。如图1等效电路图所示，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V。
根据IGBT等级，选用西门子BSM200GB120两单元并联。Cd主要起滤波、稳定电压和改善功率因数的作用，在串联谐振电路中相当于电压源。选用6800/400VDC电解电容，三只并联后再串联，在每只电解电容两端并联上放电电阻100K/2W,两只并联。由于串联谐振式逆变器的直流电源回路还必须流过无功电流，该无功电流随逆变器的输出功率因数减小而增大，而电解电容Cd中不能流通高频无功电流，否则会发热损坏。高频电容的选择一般根据逆变器的工作频率和容量大小来确定，电路中选用两2F/1200V的薄膜电容直接并在IGBT的两侧。IGBT采用缓冲保护电路，它以上下桥臂为单元进行设置，这种电路缓冲元件的功耗小，降低了IGBT的关断损耗。
如果过流信号继续存在，则将进入软关断的进程。在8和16脚间接一个电容Cdelay，可以设定延迟判断时间Tdelay，在Vp=24V时的关系为Cdelay/Tdelay(pF/μS)=0/1.4，47/2.4，100/4.1，150/5.5,220/7.8。一般情况下可设置在2-4μS左右。7.驱冲电压从Voh-Vdrop降到0电平的时间。在16脚接一个电容Csoft，可加大软关断时间，在Vp=24V时的关系为Csoft/Tsoft(nF/μS)=0/2.2，2.2/3.5，4.7/4.6，10/7。一般情况下可设置在3-4μS左右。软关断开始后，驱动器封锁输入PWM信号，即使PWM信号变成低电平。
如空调、车灯、后备电源等，电压、功率相对较低，工作条件也相对较好。主牵引变流器需要3.3千伏或6.5千伏高压模块，辅助变流器所需的电压则相对比较低，1.7千伏模块就能满足。它们均需要选用牵引级IGBT模块，因为机车工作环境非常恶劣。牵引级IGBT是电子应用领域要求等级*的IGBT，对可靠性和产品生命周期的要求极高。牵引级IGBT的功率高达1千万瓦，每个IGBT承受的*电压可高达6.5千伏，标称电流高达600安。牵引级高压大功率IGBT的工作环境严酷，负载剧烈变化，对IGBT模块的寿命影响很大，这就需要采用特定的技术来提高器件的温度循环寿命和功率循环寿命。一般工业级IGBT功率模块的工作温度为125℃。
如检测电路的基准电压飘移，导致保护动作起控点变化，起不到应有的保护作用。1.IGBT是一种巨型的晶体管，和传统变压器的关系并不大。但是IGBT是一种未来用途很广的电力电子，目前已经是电力传动和新能源等高科技产业的核心元件。现今已有部分取代铜铁(传统变压器)铝(电容器)产业的倾向。未来的直流输变电，交流输变电，电解铝等设施可能不再需要变压器。IGBT可以用于变频器，中频感应炉，静态无功补偿，如果这些是低压设备就需要一个与电网匹配的高压变压器，比如:6KV-380V，10KV-690V。有的还是移相变压器。2.近年来IGBT驱动变压器已经运用到了各大行业中，其具有很多优点。①耦合电容低，②漏感小，④抗电强度高。
均流特性分析和电流路径优化：IGBT封装设计和部分电驱动系统设计用户还关注IGBT的均流特性。Maxwell可通过静态或瞬态电磁场分析，评估IGBT在各种正常或故障工况电流激励下的电磁性能，有助于均流设计、传导路径优化，热设计、结构设计等。电磁、热、结构耦合特性分析：IGBT封装和部分电驱动系统设计用户还需要考虑多物理场耦合设计问题，因为IGBT传递大电流时可能会产生不均匀分布的电磁损耗和电磁力，导致局部过热或应力形变过大而导致IGBT失效或损坏。Maxwell和Mechanical、Icepak可轻松解决单/双向的电磁与热、电磁与结构、热与结构、电磁与流体等多物理场耦合分析问题。热模型提取及热特性分析：部分IGBT封装和电驱动系统设计用户需要考虑IGBT模块散热系统设计及其热特性对系统性能的影响。
芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸*少的产品。现有多家公司生产各种U-IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。NPT(非穿通型)-IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可降低生产成本25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IGBT时NPT—IGBT可靠性*。NPT型正成为IGBT发展方向。采用SDB(硅片直接键合)技术在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流。
否则开通时IGBT两端并联的电容将直接向IGBT放电，使开关功率器件IGBT损坏。图2中A点及附近区域的输出电流很小，基本上为零，即焊机为空载状态或轻载，此时输出为*脉宽，Cl、CCC4电容无法进行换流，造成软开关模式失败。解决方法是在逆变桥内引入无功电流，使前臂和滞后臂电容换流完毕。由于C1=C3，C2=C4，故主要考虑前臂的换流。换流无功电流的大小应满足下式。计算公式式中:Is为换流期间的无功电流;ts为死区时间;E为电源电压。前臂为负载换流，电容Cl、C3的作用是降低关断损耗和改善关断轨迹，其等效电路如图3所示。图中电容C是等效的前臂电容;Io是输出电流折算到原边回路的等效恒流源。
