QPD1009

Qorvo QPD1009是SiC HEMT上的15 W（P3dB）离散GaN，其工作频率为DC至4 GHz。 该器件采用Qorvo久经考验的QGaN25HV工艺制造，该工艺采用*的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。 就更少的放大器阵容和更低的热管理成本而言，这种优化可以潜在地降低系统成本。


产品特性
频率范围：DC-4 GHz
输出功率（P3dB）：2 GHz时为17 W
线性增益：2 GHz时典型值为24 dB
典型PAE3dB：2 GHz时为72％
工作电压：50V
低热阻封装
连续波和脉冲功能
3 x 3毫米包装


产品应用
民用雷达
干扰器
陆地移动无线电通信
雷达
军事广播
窄带放大器
测试仪器
宽带放大器

 
QPD0005
QPD0009
QPD0020
QPD0030
QPD0210
QPD0211
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QPD1022