任何商用电源转换器都有基本滤波将纹波和噪声降低成约DC输出的1%的典型峰峰值。通常这是可以接受的，但是如果应用比较敏感则需要较低的级别，而简单的解决方法是添加一个外部LC滤波器（图1）。
图1：外部LC滤波器可降低开关模式电源的输出纹波和噪声
理论上电感阻抗在DC时为零，电容阻抗则为无穷大，因此所需的DC不会受到影响。但是随着频率增加，电感阻抗ZL增大同时电容器阻抗ZC减小，从而产生越来越大的“分压器”效应。可以选择滤波器角频率来降低转换器开关频率纹波，但噪声尖峰是由高达数十MHz的频谱组成， 因此对噪声尖峰的衰减就比较难预测。S7-200
6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC,6输入/4输出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 继电器输出,6输入/4输出
6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC,8输入/6输出
6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 继电器输出,8输入/6输出
6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC,14输入/10输出
6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 继电器输出,14输入/10输出
6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC,14DI/10DO,2AI/1AO
6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 继电器输出,14DI/10DO,2AI/1AO
6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC,24输入/16输出
6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 继电器输出,24输入/16输出
扩展模块
6ES7 221-1BH22-0XA8 EM221 16入 24VDC，开关量
6ES7 221-1BF22-0XA8 EM221 8入 24VDC，开关量
6ES7 221-1EF22-0XA0 EM221 8入 120/230VAC，开关量
6ES7 222-1BF22-0XA8 EM222 8出 24VDC，开关量
6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC，0.5A 开关量
6ES7 222-1HF22-0XA8 EM222 8出 继电器
6ES7 222-1BD22-0XA0 EM222 4出 24VDC 固态－MOSFET
6ES7 222-1HD22-0XA0 EM222 4出 继电器 干触点
6ES7 223-1BF22-0XA8 EM223 4入/4出 24VDC，开关量
6ES7 223-1HF22-0XA8 EM223 4入 24VDC/4出 继电器
6ES7 223-1BH22-0XA8 EM223 8入/8出 24VDC，开关量
6ES7 223-1PH22-0XA8 EM223 8入 24VDC/8出 继电器
6ES7 223-1BL22-0XA8 EM223 16入/16出 24VDC，开关量
6ES7 223-1PL22-0XA8 EM223 16入 24VDC/16出 继电器
6ES7 223-1BM22-0XA8 EM223 32入/32出 24VDC，开关量
6ES7 223-1PM22-0XA8 EM223 32入 24VDC/32出 继电器
6ES7 231-0HC22-0XA8 EM231 4入*12位精度，模拟量
6ES7 231-7PB22-0XA8 EM231 2入*热电阻，模拟量
6ES7 231-7PD22-0XA8 EM231 4入*热电偶，模拟量
6ES7 232-0HB22-0XA8 EM232 2出*12位精度，模拟量
6ES7 235-0KD22-0XA8 EM235 4入/1出*12位精度，模拟量
6ES7 277-0AA22-0XA0 EM277 PROFIBUS-DP接口模块
6GK7 243-2AX01-0XA0 CP243-2 AS-i接口模块
6ES7 253-1AA22-0XA0 EM253 位控模块
6ES7 241-1AA22-0XA0 EM241 调制解调器模块
6GK7 243-1EX00-0XE0 CP243-1 工业以太网模块
6GK7 243-1GX00-0XE0 CP243-1IT 工业以太网模块
附件
6ES7 291-8GF23-0XA0 MC291,新CPU22x存储器盒,64K
6ES7 297-1AA23-0XA0 CC292,CPU22x时钟/日期电池盒
6ES7 291-8BA20-0XA0 BC293,CPU22x电池盒
6ES7 290-6AA20-0XA0 扩展电缆,I/O扩展,0.8米,CPU22x/EM
原因是在某些频率下，当ZL和ZC的值相等时LC网络产生“谐振”，噪声被放大而不是减少，尽管这种影响会被负载电阻阻尼。以上谐振，仍有一些噪声衰减，但其他寄生效应开始出现。例如，电感器的自电容会产生另一种频率高得多的共振。这个电容也比较容易让噪声绕过电感。高频的时候因为“集肤效应”的关系，电感的磁芯损耗增加，电感器线的交流电阻也增加，电容的阻抗相对于等效串联电阻(ESR)变小，电容开始扮演电阻的角色。电容的等效串联电感（ESL）也有高频效应。如果LC滤波器的等效电路包括这些寄生组件，就会比较接近图2。
Figure 2: An external filter with parasitic elements added
图2：具有寄生组件的外部滤波器
电感的寄生效应改变噪声衰减性能
针对电路中涉及频率的磁芯损耗的影响 ，采用LLOSS 1 ，2以及 RLOSS 1 ， 2是一种简单的建模方式；不同的LLOSS值会产生不同的阻抗，从而使不同的电阻组件RLOSS 1和2在不同的频率产生影响。增加更多的LLOSS/RLOSS网络能让模型更加，但是很难参考电感的规格书来计算分量值，因此如果要一个完整的电感和磁芯模型可通过经验得到数值。图3显示了带有和不带有LLOSS/RLOSS网络的滤波器衰减模拟图，其中包括L和C及其寄生分量的假定值，显示磁芯损耗对噪声的高频衰减有很大影响，在10MHz时相差了20 dB。不幸的是，磁芯损耗并没有出现在典型的电感器规格书中，并且可能变化很大。
图3：有无磁芯损耗的LC滤波器衰减对比图
输入EMC滤波器组件选择
在选择DC/DC转换器输入的EMC滤波器的商用电感时（图4），电感制造商的规格书通常只提供电感、DC电阻以及个别谐振频率的信息。尽管这可以使反射的输入纹波衰减一定的量，但是如果没有数据来定义寄生分量就很难预测噪声尖峰及频谱衰减。从输出滤波器的分析可以看出，高频效应（例如磁芯损耗）会再次对噪声衰减产生极大的影响。电感制造商不会提供相关信息是可以理解的，因为变数多了。例如，磁芯损耗不但取决于波形交流分量的幅度及形状，也取决于频率、DC电流偏置以及温度。
图4：典型的DC/DC转换器输入EMC滤波器
因此很难选到理想的电感，在*坏的情况下可能会导致传导和辐射噪声水平过操作或规定。甚至可能到*终产品进行独立EMC测试时才知道答案，但是此时做任何的变动都会造成极高的成本。
如果有合适的测试设备，例如有天线和EMC室可用，则可以在电路中尝试来自不同供应商的具有相同标题额定值的电感样品，以检查实际结果。大电感值似乎不错但会降低谐振频率，体积较小的元器件可能具有较高的DC电阻进而导致电压下降，具体取决于转换器的负载和功率消耗。大电感还具有较大的自电容，因此减少了高频衰减。*要考虑的是大电感本身会在承受负载电流阶跃时引起电压尖峰。小电感搭配大电容也是选择，但是如果考虑到成本和尺寸的问题而使用电解类型，它将不会有很好的高频特性。其他类型的，如陶瓷，在高频方面很好，但对于高电容值来说，价格昂贵且体积大。
正确的L和C组合会受到成本、尺寸和性能等因素影响。当选择电感时，市场上就有了一个混乱的类型选择。包括铁氧体、铁粉芯，一些特殊的选择例如多晶磁芯，然后有鼓形、环形和E型磁芯，以及也会影响性能的通孔或SMD安装选择。买家也会发现似乎相同电感规格和额定电流的器件，价格却大不相同。
所提供的每个电感器适合特定的应用场合。铁氧体的损耗*低但材料比铁粉昂贵。铁粉对过电流的耐受性也更高，比铁氧体更能保持电感。“环形”或环形磁芯的磁场泄漏较小，但比鼓形或“线轴”磁芯更难缠绕和端接。因此设计、生产、EMC、采购和制程工程师都需要参与共同选择*解决方案。S7-300系列型号大全：
定货号 注释
电源模板
6ES7 307-1BA00-0AA0 电源模块(2A)
6ES7307-1EA00-0AA0 电源模块(5A)
6ES7307-1KA01-0AA0 电源模块(10A)
CPU
6ES7312-1AE13-0AB0 CPU312，32K内存
6ES7312-5BE03-0AB0 CPU312C，32K内存 10DI/6DO
6ES7313-5BF03-0AB0 CPU313C，64K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7313-6BF03-0AB0 CPU313C-2PTP，64K内存 16DI/16DO
6ES7313-6CF03-0AB0 CPU313C-2DP，64K内存 16DI/16DO
6ES7314-1AG13-0AB0 CPU314,96K内存
6ES7314-6BG03-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7314-6CG03-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO
6ES7315-2AG10-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存
6ES7315-2EH13-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存
6ES7317-2AJ10-0AB0 CPU317-2DP,512K内存
6ES7317-2EK13-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存
6ES7318-3EL00-0AB0 CPU319-3 PN/DP,1.4M内存
内存卡
6ES7953-8LF20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡 64kByte(MMC)
6ES7953-8LG11-0AA0 SIMATIC Micro内存卡128KByte(MMC)
6ES7953-8LJ20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡512KByte(MMC)
6ES7953-8LL20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡2MByte(MMC)
6ES7953-8LM20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡4MByte(MMC)
6ES7953-8LP20-0AA0 SIMATIC Micro内存卡8MByte(MMC)
开关量模板
6ES7321-1BH02-0AA0 开入模块（16点，24VDC）
6ES7321-1BH10-0AA0 开入模块（16点，24VDC）
6ES7321-1BH50-0AA0 开入模块（16点，24VDC，源输入）
6ES7321-1BL00-0AA0 开入模块（32点，24VDC）
6ES7321-7BH01-0AB0 开入模块（16点，24VDC，诊断能力）
6ES7321-1EL00-0AA0 开入模块（32点，120VAC）
6ES7321-1FF01-0AA0 开入模块（8点，120/230VAC）
6ES7321-1FF10-0AA0 开入模块（8点，120/230VAC）与公共电位单独连接
6ES7321-1FH00-0AA0 开入模块（16点，120/230VAC）
6ES7321-1CH00-0AA0 开入模块（16点，24/48VDC）
6ES7321-1CH20-0AA0 开入模块（16点，48/125VDC）
6ES7322-1BH01-0AA0 开出模块（16点，24VDC）
6ES7322-1BH10-0AA0 开出模块（16点，24VDC）高速
6ES7322-1CF00-0AA0 开出模块（8点，48-125VDC）
6ES7322-8BF00-0AB0 开出模块（8点，24VDC）诊断能力
6ES7322-5GH00-0AB0 开出模块（16点，24VDC，独立接点，故障保护）
6ES7322-1BL00-0AA0 开出模块（32点，24VDC）
6ES7322-1FL00-0AA0 开出模块（32点，120VAC/230VAC）
6ES7322-1BF01-0AA0 开出模块（8点，24VDC，2A）
