说明:
从外形上CF卡可以分为两种:CF I型卡以及稍厚一些的CF II型卡。CF II型卡槽主要用于微型硬盘等一些其它的设备。
从速度上它可以分为CF卡、高速CF卡(CF+/CF 2.0规范),更快速的CF 3.0标准也在2005年被采用。
CF卡可以通过适配器直接用于PCMCIA卡插槽,也可以通过读卡器连接到多种常用的端口,如USB、Firewire等。另外,由于它具有较大的尺寸(相对于较晚出现的小型存储卡而言),大多数其它格式的存储卡可以通过适配器在CF卡插槽上使用,其中包括SD卡/MMC卡、Memory Stick Duo、XD卡以及SmartMedia卡等。
一与二型
CompactFlash的电气特性与PCMCIA-ATA接口一致,但外形尺寸较小。
连接器为43毫米宽,外壳的深度是36毫米,厚度分3.3毫米(CF I型卡)和5毫米(CF II型卡)两种。
CF I型卡可以用于CF II型卡插槽,但CF II型卡由于厚度的关系无法插入CF I型卡的插槽中。CF闪存卡多数是CF I型卡。
CF卡比早期的PC卡(PCMCIA)I型更细小,然而厚度则和PC卡I及II型相同。CF卡是早期记忆卡规格之中**的,受欢迎程度比Miniature Card、SmartMedia卡及PC卡I型更胜一筹.
在应用体积较小的器材时,SmartMedia卡曾经是CF卡的主要竞争对手,从市场渗透率而言却一度越CF卡。不过,SmartMedia的优势,将因新制式的记忆卡出现而终止(大约于2002-2005年时)。
九十年代末至廿一世纪初出现的记忆卡制式(如SD/MMC,各种 Memory Stick,xD图像卡等等)有助激烈竞争。新款记忆卡的体积比CF卡小数倍,某程度上与当时CF比PC Card的相差还要大。新制式将会主导掌上电脑,手提电话以及消费级数码相机,特别是迷你型号。
无论如何,CF卡还会继续被很多设备支援,仍然成为*数码相机的主流标准。在2005年出产的消费级数码相机中,有一定数量还是支援CF卡。CF的主要特点仍是以*少的价钱换取*的MB数,比小型记忆卡有著*容量,CF II能使用MicroDrive,以及透过转接器使用多种较小记忆卡。同时, CF卡接口的记忆卡转接器比其他类型的平, 全因它没有芯片组。
闪存型存储设备具有非易失性和固态,所以它比磁盘驱动器更稳固,耗电量仅相当于磁盘驱动器的5%,却仍然具有较快的传输速率(SanDisk Extreme III型CF卡的写入速度和读取速度可达20MB/s)。它们的工作电压为3.3volts或5volts,可以在不同的系统间转换。闪存型CF卡可以适应极端的温度变化,工业标准的闪存卡可以在-45至85摄氏度的范围内工作。
CF接口已广泛用于PDA、笔记本电脑、数码相机和包括台式机在内的各种设备。
到2005年,CF卡的容量规格从*小的8MB到*可达12GB。(这里的1MB=1,000,000byte,1GB=1000MB)
EP7212是CIRRUS LOGIC公司生产的支持MP3格式的数字音频解码的微处理器。它采用ARM7TDMI CPU核,时钟速率高达74MHz;它内含DRAM、FLASH、LCD、串口和数字音频接口。这些特征使得开发者容易实现MP3文件的解码和播放。本例中利用CF卡存储MP3。
(1)CPLD逻辑关系采用VHDL语言实现
OE <=NCS3 OR NRD;
WE <=NCS3 OR NWR;
CE1 <=A0 AND (NOT WORD);
CE2 <=(NOT A11)AND (NOT WORD);
REG <=A11;
(2)软件实现
首先,配置结构寄存器,设为MEMORY模式。然后,各个任务寄存器设定参数。*,将命令写入命令寄存器,执行操作。下面的代码段实现将CF卡*个扇区全部写入0XAAAA。
LDR R0,=0X30000200; //结构寄存器地址A11=1
LDR R1,=0;
STRB R1,[R0]; //设置为MEMORY方式
LDR R0,=0X30000800; //初始化地址,A11=1
LDR R2,=0X80; //检测忙信号
LDR R3,=0XAAAA; //测试数据
LDR R1,=1; //传输扇区数目。此处是1个扇区大小
STRB R1,[R0,#2];
LDR R1,=0; //起始扇区号
STRB R1,[R0,#3];
LDR R1,=0; //柱面低8位地址
STRB R1,[R0,#4];
LDR R1,=0; //柱面高8位地址
STRB R1,[R0,#5];
LDR R1,=0XE0; //磁道数
STRB R1,[R0,#6];
LDR R1,=0X30; //写扇区命令
STRB R1[R0,#7];
WAIT
LDRB R1,[R0,#7]; //读状态信号,检测是否忙。
//若忙,在此循环
TST R1,R2;
BNE WAIT
LDR R4,=0; //初值
LDR R5,=0X100; //写256个字,512个字节。
WRITE
STR R6,[R0];
ADD R5,R5,#1;
CMP R5,R4;
BNE WRITE; //向缓冲写512个字节
由于篇幅有限,本文仅给出MEMORY模式实现的方法,其它两种模式实现与MEMORY相似。由于CF卡具有易于携带、兼容性好、容量大的特点,可以预见,它必将在更广阔的领域得到应用。
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