结构简图P+F倍加福CJ6-18GK-N电容式传感器
优点介绍：
结构简单，适应性强
电容式传感器结构简单，易于制造，能在高低退、强
力强，尤其可以承受很大的温度变化，在高压力、高
压和低压差，能对带进工件进行测量。此外，为实现
某些特殊要求的测量还可以把传感器的体积做得很小
冲击、过载等悄况下都能正常工作，能测大量的高
。可以实现非接触测量，具有平均效应
当被测件不允许接触测量时，电容式传感器可以进行
辐射及强磁场等各种恶劣的环境条件下工作，适应能
非接触测量。这种情况下，电容式传感器具有平均效
应，可以减小工件表面粗糙度等对测量的影响。
OBT500-18GM60-E4
NBB20-U1-E2
NBN15-F11-E0 传感器
NBN15-F11-E2 接近开关
NBN25-30GM50-E2 传感器
NBN25-30GM50-E2-V1 传感器
NBN30-L2-E2-V1 传感器
NBN30-U1-A2 传感器
NBN30-U1-E2 传感器
NBN30-U1-E2 传感器
NBN3-8GM30-E2-V1 传感器
OBT200-18GM60-E5
NBB5-18GM50-E2
KFA6-SR2-EX2.W
性能介绍：
QT器件在突发模式采样之后即进行数字信号处理，这
种方法能提供比竞争方案更高的动态范围和更低的功
供电的设备。一般可用多输入通道实现滑动按键或旋
转按键，而的QT系列芯片只用三个分辨率为7位
耗，而自动校准例程可以补偿因为环境条件改变带来
过厚的面板时不需要一个参考地连接，因此适合电池
的漂移。更重要的是，这种方法足够灵敏，在电流透
（128点）的通道就能实现高分辨率线性滑动或旋转
界面。
型号：
NBB15-U1-E2
RVI58N-011AAR66N-01024
9401 10*10
NBN12-18GM50-E2 传感器
NBN15-30GM40-Z0 接近开关
NBN15-30GM50-E0 传感器
NBN15-30GM50-E0-V1 传感器
NBN15-30GM50-E2 传感器
NBN3-F25-E8-V1 接近开关
NBN40-L2-A2-V1 接近开关
NBN40-L2-E0-V1 接近开关
NBN40-L2-E2-V1 接近开关
NBN40-L2-E2-V1
VB12-220-S-R
ML13-1246/7B/25/46
NBB20-L2-E2-V1
NCN4-12GM35-N0
FVM58N-032K2R3BN-1213
LFL2-CK-U-PVC3
10-01636-R-1024NBB2-12GM50-E2
M79-3440-15-05
NBB10-30GM40-Z0-V1 接近开关
NBB10-30GM50-E2 传感器
NBB10-30GM50-E2-V1 传感器
NBB20-U1-E0 传感器
NBB20-U1-E2 传感器
NBB20-U1-E2 传感器
NBB20-U1-E2 传感器
NBB2-12GM40-Z0 传感器
NBB2-12GM40-Z0-V1 传感器
NBB2-12GM50-E0-3M
MB60-12GM50-E2
NBB2-12GM50-E2
NBB15-U1-E2
NJ4-12GM40-E2-V1
NJ4-12GM40-E2
NBB10-30GM50-E2-V1 传感器
NBB15-30GM50-E2-V1 传感器
NBB15-U1-A2 传感器
NBB15-U1-E2 传感器
NBB15-U1-E2-C 传感器
NBB20-L2-A2-V1 接近开关
NBB20-L2-B3-V1 接近开关
NBB20-L2-E0-V1 传感器
NBB20-L2-E2-V1 传感器
NBB20-L2-E2-V1 传感器
NBB20-L2-E2-V1 传感器
NBB20-U1-A2 传感器
NJ1.5-8GM-N
NBN15-30GM50-E2-V1
NBB5-18GM50-E0
KFD2-EB2.R4A.B
KFD2-SR2-EX2.W
KFD2-STC4-EX1
结构简图P+F倍加福CJ6-18GK-N电容式传感器
