IGBT测试分析功率半导体实验室
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是*CNAS 认可实验室，属于*
大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有*的系统设备、的技术团队和完善的服务体系。实验室现有*的测试仪器设备100余台套，测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务
项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供高效的技术服务。
长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工
所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
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IGBT测试分析功率半导体实验室功率金属氧化物场效应管
漏源间反向击穿电压
半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407. 只测： -3.5kV～3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测： -3.5kV～3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测： 0～10k?,,0～1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测： -10V～10V
4 漏极反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测： -100mA～100mA
5 栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测： -100mA～101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测： 0A～1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测： 1ms～1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
10 体二极管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 10ns～2μs
11 体二极管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测： 1nC～100μC
12 栅极电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测： Qg：0.5nC～500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
14 栅极串联等效电阻 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测： 0.1Ω～50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测： Ph：0.1W～250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测： Ph：0.1W～250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测： -3kV～3kV,0～1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
21 温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测： HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件D（间歇功率）
23 稳态功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测： 条件C（稳态功率）
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IGBT测试分析功率半导体实验室技术参数
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检测项目 |
覆盖产品 |
检测能力 |
参考标准 |
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直流参数 |
MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； |
检测电压：7500V 检测电流：6000A |
国标，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：2500V 检测电流：200A |
军标 |
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栅极电阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 |
检测阻抗：0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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开关时间 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
军标，国标，IEC等 |
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开关时间 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
|
反向恢复 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
军标，国标，IEC等 |
|
反向恢复 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
|
栅极电荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：200A |
军标，国标，IEC等 |
|
栅极电荷 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：4000A |
国标，IEC |
|
短路耐量能力 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：1200V 检测电流：1000A |
军标，国标，IEC等 |
|
短路耐量能力 |
IGBT等模块产品 |
检测电压：2700V 检测电流：10000A |
国标，IEC |
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结电容 |
MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 |
检测电压：3000V |
IEC |
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参数曲线扫描 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 |
检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C |
军标，IEC等 |
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热阻性能 |
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 |
功率：250W |
军标，JEDEC |
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热阻性能 |
IGBT等模块产品 |
功率：4000W |
军标，JEDEC |
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ESD能力 |
MOSFET、IGBT、IC等产品 |
HBM电压：8000V；MM电压：800V |
军标，ANSI，JEDEC等 |
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*正向浪涌能力 |
DIODE（Si/SiC）、整流桥 |
检测电流：800A |
军标，国标 |
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