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分析天平的称量方法
不同分析天平有着不同的结构，称量方法也有所不同，那么常见的分析天平的称量方法有哪些呢？
使用分析天平时除应遵循托盘天平有关操作规则外，还应注意：添加砝码、取放称样或其它原因接触天平时应先把天平梁托住，否则易使刀口损坏，这是使用天平规则中重要的一条。
（1）直接称量法：所称固体试样如果没有吸湿性并在空气中是稳定的，可用直接称量法。先在天平上准确称出洁净容器的质量，然后用药匙取适量的试样加入容器中，称出它的质量。这两次质量的数值相减，就得出试样的质量。
龙安区仪器仪表校准单位图(1)
（2）减量法：在分析天平上称量一般都用减量法。先称出试样和称量瓶的质量，然后将称量瓶中的试样倒一部分在待盛药品的容器中，到估计量和所求量相接近。倒好药品后盖上称量瓶，放在天平上再称出它的质量。两次质量的差数就是试样的质量。如果一次倒入容器的药品太多，必须弃去重称，切勿放回称量瓶。如果倒入的试样不够可再加一次，但次数宜少。
（3）法：对于性质比较稳定的试样，有时为了便于计算，则可称取质量的样品。用法称量时，在天平盘的两边各放一块表面皿（它们的质量尽量接近），调节天平的平衡点在中间刻度左右，然后在左边天平盘内加上固定质量的砝码，在右边天平盘内加上试样（这样取放试样比较方便），直至天平的平衡点达到原来的数值，这时，试样的质量即为的质量。
4.使用分析天平时除应遵循托盘天平有关操作规则外，还应注意：添加砝码、取放称样或其它原因接触天平时应先把天平梁托住，否则易使刀口损坏，这是使用天平规则中重要的一条。每次称量时，应将天平门关好。加砝码后开启天平时，指针摆幅应控制在2～4格之间。被称样品视其性质放在洁净干燥的称量瓶或表面皿中称量。
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称量瓶不得用手拿，要用滤纸条夹取。称量结束，要检查天平梁是否托好，砝码是否齐全，有无药品撒落到天平内，天平门是否关紧，布罩是否罩好。天平使用一段时期后，要送计量部门进行和调修。天平的清洁工作每年应进行两次。
分析天平的种类较多：机械式、电子式、手动式、半自动式、全自动式等等。
分析天平的校正方式：可以分为内校型，外校型。所谓内校，就是电子天平带有内部砝码，方便随时调取，一键进行。外校型必须要按校正键，从外部放砝码进行人工校正。
1．检查并调整天平至水平位置。yiqijiaozhun136
2．事先检查电源电压是否匹配（必要时配置稳压器），按仪器要求通电预热至所需时间。
3．预热足够时间后打开天平开关，天平则自动进行灵敏度及零点调节。待稳定标志显示后，可进行正式称量。
4．称量时将洁净称量瓶或称量纸置于称盘上，关上侧门，轻按一下去皮键，天平将自动校对零点，然后逐渐加入待称物质，直到所需重量为止。
5．被称物质的重量是显示屏左下角出现“→"标志时，显示屏所显示的实际数值。
6．称量结束应及时除去称量瓶（纸），关上侧门，切断电源，并做好使用情况登记。
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工业以太网交换机作为目前为重要的电网通信设备解决方案，使电力设备在线监测技术也得以快速发展，并逐步走向实用化阶段。目前，工业交换机协议的标准化早已完成，包括底层协议、网络冗余协议、管理协议、网络时钟传输协议等，不同厂商产品互通性好，还可以实现混合组网。无风扇、低功耗的工业标准设计，-40℃～85℃的工作范围完全能够满足工业现场需求，满足电力系统建设。同时，工业以太网交换机主要采用分段冗余、相交环、相切环等混合组网方式，提高了组网的可靠性，多种光电口灵活配置，高度集成，一体化方案设计更为电网建设提供了便利。
机械天平
1.慢慢旋动升降枢钮，开启天平，观察指针的摆动范围，如指针摆动偏向一边，可调节天平梁上零点调节螺丝。
2.将要称量的物质从左门放入左盘，按先在托盘天平上称得的初称质量用镊子夹取适当砝码从右门放入右盘，用左手慢慢半升升降枢钮（因天平两边质量相差太大时，全升升降枢钮可能会引起吊耳脱落损坏刀刃），视指针偏离情况由大到小添减砝码。
待克组砝码试好后，再加游码调节。在加游码调节天平平衡过程中，右门必须关闭，这时可以将升降枢钮全部升起，待指针摆动停止后，要使标牌上所指刻度在零点或附近。
目前市场上的平衡车是鱼龙混杂，目前主要推崇的是平衡车鼻祖赛格威和小米的九号车。小米的九号车自从将赛格威收购后，一飞冲天，市场份额也跃居前列。同时市场上依然有较多其他如乐行天下、索罗威尔、爱斯维尔等智能平衡车。以下为迷你九号平衡车的部分参数：轮子直径10.5英寸(约26厘米)，双电机，功率为700瓦。使用LG锂电池，54.8V，4300mAh。充满电后理论行驶距离约22公里。时速16公里/小时。LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏，关于这个问题，也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管技术。芯片发热本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf（考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低v和f.如果v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。
