RYS-DBC-051晶闸管测试仪
RYS-DBC-051晶闸管测试仪/晶闸管断态电压临界上升率dV/dt测试仪/dV/dt测试仪 北京瑞亿斯科技有限公司 如何怎么使用和购买
RYS-DBC-051dV/dt测试仪是用于测试普通可控硅、双向可控硅、快速可控硅和可控硅模块的断态电压临界上升率dV/dt。
数字显示断态峰值电压VDM 。
主要技术参数指标
1、断态峰值电压VDM : 0-2000V；
2、电压临界上升率dV/dt: 30-1000V/us
3、外形尺寸：440×440×150mm
4、整机重量：15kg
1 概述
RYS-DBC-051本仪器是晶闸管断态电压临界上升率dv／dt参数的测试设备。适用于各种快速晶闸管，普通晶闸管及双向晶闸管的参数测试。本测试仪设计，结构合理，操作简便。其检测原理符合GB4024-83标准的规定。是电力半导体器件生产厂和使用单位为理想的检测设备。
2 技术参数
2.1 大测试输出电压：2kV
2.2 断态电压临界上升率dv／dt测量范围：≤1000V／μs
2.3 工作条件
电源：AC 220V±10% 50Hz
温度：0—40℃
2.4 整机功耗：小于100VA
2.5 整机重量：约15Kg
2.6 整机尺寸：440×440×150mm
3工作原理
本仪器采用电压指数上升法测试。开关S闭合以前，电源E2对电容C充电，充电结束时，C两端电压与E2相同，极性为负。S闭合后，E1通过W对C充电，C两端电压由负逐渐变正，使D正偏导通，然后，逐渐上升的C两端电压通过R2限流电阻加到被测器件上。电压上升率的大小由W与C的时间常数决定，改变W即可改变时间常数，从而使电压上升率随W改变而变化。
4 结构特征
本仪器为箱式结构，数字显示，读数直观方便。前部是面板，装有控制旋钮、数字显示表和接线端子等。后盖板上装有三线电源插座和保险丝盒(保险丝为0.5A/250V)。
本仪器安放无特殊要求，但仪器外壳要可靠接地(本仪器外壳与后盖板上的三线电源插座中点相连)，以保证仪器的测量精度和操作人员的安全。
5 使用方法
5.1 面板说明
5.1.1 “电源”开关
此开关掷向开时，内藏指示灯亮，电源接通。
5.1.2 “输出”接线端子
被测器件接线端子，阳极接“+”，阴极接“-”。
5.1.3 “VDM (V)”显示表
显示测试电压，单位伏特。
5.1.4 “VDM调节”旋钮
调节测试电压(该电压选2／3晶闸管断态重复峰值电压)，顺时针增大，逆时针减小。
5.1.5 “dv／dt调节”开关
选择0—15任何一位，0位dv／dt值小，15位大。
5.1.6 “导通指示”灯
被测器件开通时，指示灯亮。
5.2 操作方法
5.2.1 “VDM调节”旋钮逆时针旋动到底。
5.2.2 打开电源开关
5.2.3 连接被测器件
5.2.4 确定“dv／dt调节”开关位置
例如：某一批次的器件要求dv／dt≥500v／μs，该批器件的重复峰值电压VDRM为1400V。根据晶闸管测试标准规定，选取2／3VDRM作为dv／dt的测试电压，即933V。
dv／dt系数=500／933=0.535
从档位-系数对照表中查找系数与0.535相近的值为05，即“dv／dt调节”开关选取05档位。
5.2.5 顺时针旋动“VDM调节”旋钮，使“VDM显示表”显示所需要的断态电压值(本例中的933V)。如果此时“导通指示”灯未亮，说明dv／dt值大于设定值(本例中的500)。否则，说明dv／dt值小于设定值(本例中的500)。
5.2.6 逆时针旋动“VDM调节”旋钮到底。本次测试完毕。
档位-系数对照表
系数 | 0.33 | 0.36 | 0.38 | 0.43 | 0.50 | 0.54 | 0.59 | 0.65 | 0.71 | 0.83 | 1.00 | 1.18 | 1.43 | 2.00 | 2.86 | 4.00 |
档位 | 00 | 01 | 02 | 03 | 04 | 05 | 06 | 07 | 08 | 09 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
表5.1 档位-系数对照表
注意：VDM表示值回零速度滞后于VDM调节旋钮，在VDM表未回零前，输出端子间有高电压。
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