罗克韦尔可控硅 8017300701R

发布时间:2021-10-19

罗克韦尔可控硅 8017300701R


大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:*层P型半导体引出的电极叫阳极A,第三层P型半导体引出的电极叫控制极G,第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制极G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管Z初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果过此功率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构

不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件
PXB-B3111BS54
PXB-B3111BJ2
PXB-B3111BD2
SCP-250-34-07(SCK400-02-50)
180L 1003 FPM G VDHT BL2 3/4-3/4 NC
W3604000002
ARM5SA-08-A
Z-087HI
GN613-8-AKN-NI
03030-408
IR1020-F01
9340100301
CSW28-100-2RS-T
1668496
1681923
05170-010
MGPL40-50Z
RBP-PM80
1403157
AN20-02
EB5.1 SYS40 6013076
F68-8GN-AR3 滤芯
SMBR-12 19274
SD1VW002KNJW9
SD1VW020HNJW91
4WRA6W30-20/G24N9K4/V
4WE6J62/EG24N9K4
4WE6D62/OFEG220NK4DN6

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