l 分立半导体器件特性测试，电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、 PIN 二极管、 BJT 三极管、 MOSFET 、 SIC 、 GaN 等器件；
l 能量与效率特性测试， LED/AMOLED 、太阳能电池、电池、 DC-DC 转换器等
l 传感器特性测试，电阻率、霍尔效应等
l 有机材料特性测试，电子墨水、印刷电子技术等
l 纳米材料特性测试，石墨烯、纳米线等
电压及电流精度： ( 不同型号电压量程由差异，以选型指南为准 )
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电压 |
源 |
测量 |
||
|
量程 |
分辨率 |
准确度± (% rdg.+volts) |
分辨率 |
准确度± (% rdg.+volts) |
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300mV |
30uV |
0.1% ± 300uV |
30uV |
0.1% ± 300uV |
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3V |
300uV |
0.1% ± 500uV |
300uV |
0.1% ± 500uV |
|
30V |
3mV |
0.1% ± 3mV |
3mV |
0.1% ± 3mV |
|
300V |
30mV |
0.1% ± 30mV |
30mV |
0.1% ± 30mV |
|
电流 |
源 |
测量 |
||
|
量程 |
分辨率 |
准确度± (% rdg.+A) |
分辨率 |
准确度± (% rdg.+A) |
|
100nA |
10pA |
0.1% ± 0.5nA |
10pA |
0.1% ± 0.5nA |
|
1uA |
100pA |
0.1% ± 3nA |
100pA |
0.1% ± 3nA |
|
10uA |
1nA |
0.1% ± 5nA |
1nA |
0.1% ± 5nA |
|
100uA |
10nA |
0.1% ± 50nA |
10nA |
0.1% ± 50nA |
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1mA |
100nA |
0.1% ± 300nA |
100nA |
0.1% ± 300nA |
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10mA |
1uA |
0.1% ± 5uA |
1uA |
0.1% ± 5uA |
|
100mA |
10uA |
0.1% ± 20uA |
10uA |
0.1% ± 20uA |
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1A |
100uA |
0.1% ± 2mA |
100uA |
0.1% ± 2mA |
*输出功率： 30W ， 4 象限源或肼模式
源限度：电压源：± 30V （≤ 1A 量程），± 300V （≤ 100mA 量程）；
电流源：± 1.05A （≤ 30V 量程），± 105mA （≤ 300V 量程）；
过量程： 105% 量程，源和测量；
稳定负载电容： <22nF ；
宽带噪声 (20MHz) ： 2mV RMS （典型值）， <20mV Vp-p （典型值）；
线缆保护电压：输出阻抗 1K Ω，输出电压偏移 <80uV ；
*采样速率 ： 1000 采样点 / 秒；
触发：支持 IO 触发输入及输出，触发极性可配置；
输出接口：前后面板香蕉头插座输出，同一时刻只能用前或者后面板接口；
通信口： RS-232 、 GPIB 、以太网；
电源： AC 100~240V 50/60Hz ；
工作环境： 25 ± 10 ℃；
尺寸： 106mm 高 × 255mm 宽 × 425mm 长；
武汉普赛斯仪表是普赛斯电子的全资子公司，致力于半导体器件的测试仪表和测试方案的研发、生产与销售，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体行业提供可扩展的方案、应对设备、设计与低成本的挑战。
国内率先推出的基于源表（源测单元）的两大系列产品：台式源表系列、源表单元系列，在光通信 CHIP和有源光器件厂家广泛使用。
普赛斯 S系列源表精度高，测试效率高，可进行低电流和高电压测试，国产研发，替代进口，价格实惠
