BURKERT传感器长期以来测试技术的研究和实际经验而提出来的。是一个相对独立的智能单元，它的出现对BURKERT传感器原来硬件苛刻要求有减轻，而靠软件帮助可以使传感器的大幅度提高。BURKERT传感器自补偿和计算功能--多年来从事传感器研制的工程技术人员一直为传感器的温度漂移和输出非线性作大量的补偿工作，但都没有从根本上解决问题。而智能传感器的自补偿和计算功能为传感器的温度漂移和非线性补偿开辟了新的道路。这样，放宽传感器加工精密度要求，只要能保证传感器的重复性好，利用微处理器对测试的信号通过软件计算，采用多次拟合和差值计算方法对漂移和非线性进行补偿，从而能获得较的测量结果压力传感器。
BURKERT传感器实现了金属-硅共晶体
在现代工业设备中，BURKERT宝德传感器和检测仪表是不可或缺的一部分。BURKERT宝德传感器是一种把非电量转变成电信号的器件，而检测仪表在模拟电子技术条件下，一般是包括传感器、检测点取样设备及放大器（进行抗干扰处理及信号传输），当然还有电源及现场显示部分（可选择），电信号一般为连续量、离散量两种，实际上还可分成模拟量、开关量、脉冲量等，模拟信号传输采用统一信号（4-20mADC等）。数字化过程中，检测仪表变化比较大，经过几个阶段，近来多采用ASIC集成电路，而且把传感器和微处理器及网络接口封装在一个器件中，完成信息获取、处理、传输、存贮等功能。在自动化仪表中经常把检测仪表称为变送器，如问题变送器、压力变送器等。
BURKERT宝德传感器的历史可追溯到70多年前,BURKERT宝德传感器以半导体传感器的发明为标志，整个发展过程可以分为以下四个阶段：
1、发明阶段（1945-1960年）这个阶段主要是以1947年双极性晶体管的发明为标志。此后，半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯（C.S.Smith）与1945发现了硅与锗的压阻效应，即当有外力作用于半导体材料时，其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的BURKERT宝德传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上，即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段*小尺寸大约为1cm。
2、发展阶段（1960-1970年）?随着硅扩散技术的发展，技术人员在硅的（001）或（110）晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上，然后在背面加工成凹形，形成较薄的硅弹性膜片，称为硅杯。这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点，BURKERT传感器实现了金属-硅共晶体，为商业化发展提供了可能。
BURKERT传感器实现了金属-硅共晶体
3、商业化阶段（1970-1980年）在硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术，扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主，发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术，主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀，数千个硅压力膜可以同时生产，实现了集成化的工厂加工模式，成本进一步降低。
4、微机械加工阶段（1980年至今）上世纪末出现的纳米技术，使得微机械加工工艺成为可能。通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的BURKERT宝德传感器，其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜，使得BURKERT宝德传感器进入了微米阶段。
