IC756WDS000J-25控制回路接线，需要根据功能来选择变频器控制回路，不管单相还是三相变频器都大同小异，分为启动逻辑和转速信号给定两部分，启动逻辑是开关量，包括了停止逻辑，每款变频器上都有这类型的端子可以接上使用的，而且开关另外一边，不是共地就是共阳。上图红色圈子是启停逻辑接法，左边蓝色是频率给定，一般是模拟量，通过外接一个电位器来抽头取样0-10伏电压给定，这样电位器调整阻值大小时候，变频器收到了一个连续可变的电压指令，对应会输出0-50HZ的频率，达到了调速的目的。变频器
由于放大器有2级，从V2输出端取出的反馈电压Uf是和放大器输入电压同相的（2级相移360°=0°）。因此反馈电压经选频网络送回到VT1的输入端时，只有某个特定频率为f0的电压才能满足相位平衡条件而起振。可见RC串并联电路同时起到了选频和正反馈的作用。实际上为了提高振荡器的工作质量，电路中还加有由Rt和RE1组成的串联电压负反馈电路。其中Rt是一个有负温度系数的热敏电阻，它对电路能起到稳定振荡幅度和减小非线性失真的作用。
510-1000-004
510-1000-041
65-0300
67-0300
67-0301
73006589
78004653
78004654
78004654RR
78004657
78004657RR
78004660
78004660RR
78005069
78005069RR
78005102
78005102RR
8001-CC-35
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8012-CC-85
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8096-CC-85
8101-HI-TX
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8497-TR-CC
8497-TR-CL
8498-SV-MT
场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上做了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫做源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。
进制，FX系列可编程控制器中，输入继电器、输出继电器的软元件编号都是以8进制数分配的，由于在8进制数中，不存在[8,9]所以按[0～10～1…70～7100～107]上升排列。10进制，辅助继电器(M)、定时器(T)、计数器、状态(S)软元件编号（其他牌子的PLC的编号方式有12进制等）,应用指令的操作数中的数值和指令动作的。16进制，应用指令的操作数中的数值和指令动作的，通常在变频器的通讯地址、命令码表示。
8608-FT-NI
8610-FT-NA
8611-FT-FU
8612-FT-NA
8615-FT-4W
8617-FT-NI
8618-FT-MT
8619-FT-MT
8620-FT-MT
8621-FT-IS
8622-FT-IS
8623-FT-IS
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8625-FT-IS
8626-FT-IS
8650-FT-PX
8701-CA-BI
8707-CA-08
8709-CA-08
8710-CA-04
8711-CA-NS
8712-CA-NS
8715-CA-BI
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8720-CA-04
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8727-CA-08
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8750-CA-NS
8751-CA-NS
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8841-HC-50
8841-LC-MT
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8851-LC-MT
8910-PS-DC
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HD2-GTR-4PA
HE190IBSRMU
HE200CGM100
HE200TIM100
HE300DNT100
HE300GEN100
HE300GEN150
HE300GEN200
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HE485ISO232
HE485ISO485
HE660BGM224
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HE660GGM100
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HE660SER211
HE670ACC100
HE670ADC810
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HE670IBU100
HE670RLY168
HE690HPL100
HE690PGM100
HE693AD05
