前面文章我们介绍了USB-PD快充。从2013年到现在，高通的QC快充协议到现在也已经有9年历史了，从*早的Quick Charge到现在的QC5.0，这篇文章我们就来看看高通QC快充协议发展历史。
2013年，高通发布了QC1.0快充，接口为Micro USB。QC 1.0 突破 USB-IF 当时 1.5A 的上限电流，在保持 5V 的额定电压下，将*额定电流提升到了2A，让手机充电功率提升到了10W，充电时间缩短40%，开启两位数的快充时代。
在看来，QC1.0 一点都不“快充”，但在当时已经算是一件了不起的事情，要知道在那之前，包括 iPhone 在内的几乎所有手机都被“五福一安”捆住了手脚，充电功率*多只能到 7.5W。时代继续前进，大屏智能手机开始爆发，电池续航能力跟不上，快充成了厂商提升用户体验的法宝，于是QC2.0诞生了。
QC2.0发布于2014年，接口为Micro USB-A/USB-B，相比起旧有标准，QC2.0划时代的改变了充电电压，从保持了多年的常规的5V提升至9V/12V/20V，电流支持 1.5A 和 2A 两种规格输出。QC 2.0 可分为 支持5V/9V/12V的A标准和支持20V的B标准。
但市面大多手机采用的是 A 标准，在 Micro-USB 接口上可实现* 24W 输出。因为增大电压，功率是上去了，效率却下降了。电压每提高一档，效率约下降10%，这些能量大部分转化为热量，所以大部分只保留了5V、9V、12V三个档。 20V 电压输出只存在于 B 标准。即便如此还是热的不行，于是高通又开发了的电压智能协商(INOV)算法，这就有了QC3.0。
QC3.0发布于2015年，接口为USB-A/USB-C，相比起 2.0，QC 3.0 的处理方式更加智能，电压采用了 3.6 ~ 20V 动态调节，每小级增量 200mV，在 QC 2.0 充电器与手机的握手方式基础上，加入了 INOV1.0/2.0 （*电压智能协商）算法，智能且动态地匹配充电功率。由于全面使用了Type-C接口取代原来的MicroUSB接口，*电流也提升到了3A，因为电压更低所以效率提升*达38%，充电速度提升27%，发热降低45%。
2016年11月，高通在纽约的骁龙技术峰会上发布了新一代的快充技术QC4.0（正确叫法是QC 4快充协议）。接口为USB-C，QC 4将 INOV 算法升级到了3.0版本，电压将每小级的增量缩小于20mV，还引入了实时散热管理，据说能获得比上一代高出 20% 的充电速度，以及30%的充电效率并且兼容USB-PD协议。QC 4 虽然兼容USB-DP协议，但痛点在并不往下兼容自家的QC协议 。
于是高通在2017年6月份发布了QC 4+，在QC 4的基础上，正式兼容QC3.0以及QC2.0 协议。
2020年7月，高通发布QC5快充协议。QC 5支持双电池串联和20V电压的输出，INOV 算法升级到4.0，支持 3.3V ~ 20V 的电压微调，使得高通 QC充电协议真正完整支持了 USB-PD 充电标准和特性。支持100W+级快充，5分钟充电50％，据说充电效率比QC 4提高70% ，将充电速度再次推向了QC4的4倍以上，正式进入三位数功率时代。
*我们来用一张图来看一下几代高通QC快充之间的兼容关系。
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