代换AON6560应用手电钻增强型mos管封装
AON6560插针网格阵列封装（PGA）
AON6560PGA（Pin Grid Array Package）芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的优势，能适应更高的频率。
代换AON6560应用手电钻增强型mos管-华镁工厂优势
1)代换AON6560研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。
交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。
2）代换AON6560多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
? *的横向变掺杂技术终端实现技术；
? 专有的功率MOS结构；
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快
以上产品华镁申请了多项，在锂电池保护方面我们拥有5项，专注MOS管领域
3）代换AON6560数据对标 实力体现
|
产品名 |
沟道类型 |
封装形式 |
VDS（V） |
ID（A） |
VGS（V） |
VTH（V） |
RDSON @10V （mΩ） Typ |
|
华镁D85V43N |
N |
TO-252 |
30 |
85 |
±20 |
1.7 |
3.7 |
|
国外IRLR8726 |
N |
TO-252 |
30 |
86 |
±20 |
1.8 |
4 |
|
华镁D8507NX |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
4.8 |
|
国内 3080 |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
5.5 |
华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低
4）购买无忧 省心省时
售前：有FAE提供*的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测
售中：提供样品的定制，出样周期短
售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供*意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。
代换AON6560应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子，电源保护及电机驱动。
家用电子类：移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类：电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类：电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类：、打鱼机、儿童电动玩具
其他：太阳能LED路灯
代换AON6560常见问题
AON6560MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（电压失效）：也就是我们常说的漏源间的BVdss电压过MOS管的额定电压，并且过达到了一定的能力从而导致MOS管失效。2）栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。3）静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效。4）谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。
体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。5）SOA失效（电流失效）：既出MOS管安全工作区引起失效，分为ld出器件规格失效以及ld过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
雪崩失效（电压失效）：底什么是雪崩失效呢？简单来说MOS管在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOS管漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是MOS管漏源极的电压过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。
雪崩破坏的预防措施：理降额使用。目前，行业内降额一般选择80%-95%的降额。具体情况根据公司保修条款和电路重点来选择。理的变压器反射电压。理的RCD和TVS吸收电路设计。大电流接线尽量采用大、小布置，以减小接线寄生电感。
选择一个合理的门电阻Rg.在大功率电源中，可以根据需要增加RC阻尼或齐纳二极管吸收。
册极电压失效：造成栅极电压异常高的主要原因有三：产、运输、装配过程中的静电；电力系统运行中设备和电路寄生参数引起的高压谐振；通过Gad传检到网
例
锂电池保护板做充放电开关使用
一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。
