代换AP9971GH-苏州华镁

发布时间:2022-04-19

代换AP9971GH应用扫地机器人mos管场效应管封装
AP9971GH有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度,如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装;在有些ACDC的电源中,使用薄设计或由于外壳的限制,适于装配TO220封装的功率MOS管,此时引脚可直接插到根部,而不适于使用TO247封装的产品;也有些薄设计需要将器件管脚折弯平放,这会加大MOS管选用的复杂度。

代换AP9971GH-苏州华镁


代换AP9971GH应用扫地机器人mos管场效应管-华镁工厂优势
1)代换AP9971GH研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化(IDM+Foundry模式),并与晶圆厂达成战略合作,80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师,专注于电源保护(锂电池保护、储能方面)、电机驱动市场上的应用,并提供个性化开发,产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位,目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款,现货库存充足,中低压型号规格齐全。
交期快,无论是新老产品更新到出品,还是量产产品出货。
2)代换AP9971GH多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET,600V~1200V SJ MOSFET ,第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺,并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列(40V-1500V)
? *的横向变掺杂技术终端实现技术;
? 专有的功率MOS结构; 
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作,与trench工艺相比,具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构,Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系,电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下,内阻更小,芯核产热小,启动更快
以上产品华镁申请了多项,在锂电池保护方面我们拥有5项,专注MOS管领域

3)代换AP9971GH数据对标 实力体现

产品名

沟道类型    

封装形式    

VDSV

IDA

VGSV

VTHV

RDSON @10V mΩ) Typ

华镁D85V43N

N

TO-252

30

85

±20

1.7

3.7

国外IRLR8726

N

TO-252

30

86

±20

1.8

4

华镁D8507NX

N

TO-252

30

80

±20

1.6

4.8

国内 3080

N

TO-252

30

80

±20

1.6

5.5

华镁无论与国内还是国外数据对标,在内阻上更低,芯片产热更低
4)购买无忧 省心省时
售前:有FAE提供*的选型意见,并可免费为客户提供其他产品的检测
售中:提供样品的定制,出样周期短
售后:出现产品售后问题,有相应工程师提供*意见,分析问题,解决问题。根据客户市场应用,提供定制化产品,更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。

代换AP9971GH应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子,电源保护及电机驱动。
家用电子类:移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类:电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类:电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类:、打鱼机、儿童电动玩具
其他:太阳能LED路灯
代换AP9971GH常见问题
AP9971GHMOS 开关原理(简要)。MOS 是电压驱动型器件,只要栅极和源级间给一个适当电压,源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻,就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的*导通电流(当然和其它因素有关,*有关的是热阻)。内阻越小承受电流越大(因为发热小)。
AP9971GHMOS 问题远没这么简单,麻烦在它的栅极和源级间,源级和漏级间,栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程(电容电压不能突变),所以 MOS 源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
然而,这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们相互影响,并不是独立的,如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容 Cgd,这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的,随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石,因为栅极给栅 - 源电容 Cgs 充电达到一个平台后,栅极的充电电流必须给米勒电容 Cgd 充电,这时栅极和源级间电压不再升高,达到一个平台,这个是米勒平台(米勒平台就是给 Cgd 充电的过程),米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。(即,栅极先给 Cgs 充电,到达一定平台后再给 Cgd 充电)
因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化,内部电容相应迅速充放电,这些电流脉冲会导致 MOS 寄生电感产生很大感抗,这里面就有电容,电感,电阻组成震荡电路(能形成 2 个回路),并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以*关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。
Gs 极加电容,减慢 MOS 管导通时间,有助于减小米勒振荡。防止 MOS 管烧毁。

锂电池保护板做充放电开关使用

一般情况下,MOS都处于开或关的状态,不用考虑MOS的开关速度,会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点:
1,注意DS电压,设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作电流与保护电流,经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3,多颗MOS并联,电流的余量尽量再大一点。
4,走大电流的方案,要综合考虑封装散热,内阻。
5,驱动电压要了解,尽量使MOS工作在完全开启状态,对于单片机驱动的方案,尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型,BVDDS ,ID导通电流,VGS(th),RDSON这几项参数。


代换AP9971GH-苏州华镁
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