代换APM3055应用12串mos管引脚-华镁工厂优势
1)代换APM3055研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。
交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。
2）代换APM3055多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
? *的横向变掺杂技术终端实现技术；
? 专有的功率MOS结构；
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快
以上产品华镁申请了多项，在锂电池保护方面我们拥有5项，专注MOS管领域
3）代换APM3055数据对标 实力体现
|
产品名 |
沟道类型 |
封装形式 |
VDS（V） |
ID（A） |
VGS（V） |
VTH（V） |
RDSON @10V （mΩ） Typ |
|
华镁D85V43N |
N |
TO-252 |
30 |
85 |
±20 |
1.7 |
3.7 |
|
国外IRLR8726 |
N |
TO-252 |
30 |
86 |
±20 |
1.8 |
4 |
|
华镁D8507NX |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
4.8 |
|
国内 3080 |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
5.5 |
华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低
4）购买无忧 省心省时
售前：有FAE提供*的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测
售中：提供样品的定制，出样周期短
售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供*意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。
代换APM3055应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子，电源保护及电机驱动。
家用电子类：移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类：电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类：电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类：、打鱼机、儿童电动玩具
其他：太阳能LED路灯
代换APM3055常见问题
APM3055OA失效（电流失效）：导体光放大器（SOA)失效是指在电源工作过程中，由于MOS管上同时叠加了异常大的电流和电压而引起的损伤模式。或者，芯片、散热器和封装不能时达到热平衡，导致热量积聚，并且连续热产生导致温度过由于热击穿模式而导致的氧化物层的极限。
OA失效的预防措施：确保在*坏的情况下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制线之内；OCP功能必须、详细。
恒芯微*制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等20年，工厂直销省20%,4000家电路电器生产企业选用，*的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的，可以点击右边的工程师，或者点击销售经理给您*的报价以及产品介绍
锂电池保护板做充放电开关使用
一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。
