代换FDD6035应用无线电风扇开关管mos封装
FDD6035采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS（Auto Phase Switching）。
FDD6035除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装（DFN）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。
FDD6035除了外部封装，基于电子制造对MOS管的需求的变化，内部封装技术也在不断得到改进，这主要从三个方面进行：改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。
代换FDD6035应用无线电风扇开关管mos-华镁工厂优势
1)代换FDD6035研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。
交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。
2）代换FDD6035多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
? *的横向变掺杂技术终端实现技术；
? 专有的功率MOS结构；
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快
以上产品华镁申请了多项，在锂电池保护方面我们拥有5项，专注MOS管领域
3）代换FDD6035数据对标 实力体现
|
产品名 |
沟道类型 |
封装形式 |
VDS（V） |
ID（A） |
VGS（V） |
VTH（V） |
RDSON @10V （mΩ） Typ |
|
华镁D85V43N |
N |
TO-252 |
30 |
85 |
±20 |
1.7 |
3.7 |
|
国外IRLR8726 |
N |
TO-252 |
30 |
86 |
±20 |
1.8 |
4 |
|
华镁D8507NX |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
4.8 |
|
国内 3080 |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
5.5 |
华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低
4）购买无忧 省心省时
售前：有FAE提供*的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测
售中：提供样品的定制，出样周期短
售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供*意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。
代换FDD6035应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子，电源保护及电机驱动。
家用电子类：移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类：电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类：电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类：、打鱼机、儿童电动玩具
其他：太阳能LED路灯
代换FDD6035常见问题
FDD6035MOS 开关原理（简要）。MOS 是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个适当电压，源级和漏级间通路就形成。这个电流通路的电阻被成为 MOS 内阻，就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了 MOS 芯片能承受的*导通电流（当然和其它因素有关，*有关的是热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。
FDD6035MOS 问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），所以 MOS 源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。
然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们相互影响，并不是独立的，如果独立的就很简单了。其中一个关键电容就是栅极和漏级间的电容 Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变化而迅速变化。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅 - 源电容 Cgs 充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容 Cgd 充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台（米勒平台就是给 Cgd 充电的过程），米勒平台大家首先想到的麻烦就是米勒振荡。（即，栅极先给 Cgs 充电，到达一定平台后再给 Cgd 充电）
因为这个时候源级和漏级间电压迅速变化，内部电容相应迅速充放电，这些电流脉冲会导致 MOS 寄生电感产生很大感抗，这里面就有电容，电感，电阻组成震荡电路（能形成 2 个回路），并且电流脉冲越强频率越高震荡幅度越大。所以*关键的问题就是这个米勒平台如何过渡。
Gs 极加电容，减慢 MOS 管导通时间，有助于减小米勒振荡。防止 MOS 管烧毁。
例
锂电池保护板做充放电开关使用
一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。
