代换FDD6680应用平衡车保护mos管封装
FDD6680PGA封装样式
FDD6680其芯片基板多数为陶瓷材质，也有部分采用特制的塑料树脂来做基板，在工艺上，引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447不等。
FDD6680这种封装的特点是，封装面积（体积）越小，能够承受的功耗（性能）就越低，反之则越高。这种封装形式芯片在早期比较多见，且多用于CPU等大功耗产品的封装，如英特尔的80486、Pentium均采用此封装样式；不大为MOS管厂家所采纳。
代换FDD6680应用平衡车保护mos管-华镁工厂优势
1)代换FDD6680研发 生产
从研发、设计到工厂制造一体化（IDM+Foundry模式），并与晶圆厂达成战略合作，80%由中芯国际、台湾力积电提供。
来自国内一线厂家的数名15年以上研发经验的工程师和FAE工程师，专注于电源保护（锂电池保护、储能方面）、电机驱动市场上的应用，并提供个性化开发，产品更新迭代。
公司是国内率先推出量产级1200V 1700V SiC MOSFET的单位，目前拥有SiC MOSFET 量产产品 7款。Trench MOSFET和 SGT MOSFET量产产品达千款，现货库存充足，中低压型号规格齐全。
交期快，无论是新老产品更新到出品，还是量产产品出货。
2）代换FDD6680多种工艺 多种规格
公司拥有中高压平面 MOSFET，600V~1200V SJ MOSFET ，第三代Trench Mos和SGT MOS等工艺，并申请了相关。
中高压平面 MOSFET 系列（40V-1500V）
? *的横向变掺杂技术终端实现技术；
? 专有的功率MOS结构；
已*研发600V~1200V SJ MOSFET
? 采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI
及抗浪涌能力
? 采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降
? 可集成快恢复二极管
Trench Mos产品
? 拥有完整的trench mos产品体系，电压范围从-100V~200V
SGT Mos产品
? 拥有30V、40V、60V、80V、100V的产品系列
? 在同等参数情况下，内阻更小，芯核产热小，启动更快
以上产品华镁申请了多项，在锂电池保护方面我们拥有5项，专注MOS管领域
3）代换FDD6680数据对标 实力体现
|
产品名 |
沟道类型 |
封装形式 |
VDS（V） |
ID（A） |
VGS（V） |
VTH（V） |
RDSON @10V （mΩ） Typ |
|
华镁D85V43N |
N |
TO-252 |
30 |
85 |
±20 |
1.7 |
3.7 |
|
国外IRLR8726 |
N |
TO-252 |
30 |
86 |
±20 |
1.8 |
4 |
|
华镁D8507NX |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
4.8 |
|
国内 3080 |
N |
TO-252 |
30 |
80 |
±20 |
1.6 |
5.5 |
华镁无论与国内还是国外数据对标，在内阻上更低，芯片产热更低
4）购买无忧 省心省时
售前：有FAE提供*的选型意见，并可免费为客户提供其他产品的检测
售中：提供样品的定制，出样周期短
售后：出现产品售后问题，有相应工程师提供*意见，分析问题，解决问题。根据客户市场应用，提供定制化产品，更新迭代
华镁为整机设备厂、线路板厂、代理贸易商提供更为便捷省心的服务以及一体化的解决方案。
代换FDD6680应用场合
产品广泛应用于各行各业消费类电子，电源保护及电机驱动。
家用电子类：移动电源、充电宝、电子雾化器、蓝牙音箱、电子烟、点读笔/点读机、无线电风扇、蓝牙耳机、吸尘器、加湿器、美容仪、香薰机、手机云台、洗地机、录音机、筋膜枪、扫地机器人等等
电动车类：电动自行车、电动滑板车、平衡车、电动助力车、电动三轮车、电摩、平衡车、三轮电动车、代步车、电动单车
电动工具类：电动扳手、手电钻、角磨机、喷雾器
电动玩具类：、打鱼机、儿童电动玩具
其他：太阳能LED路灯
代换FDD6680常见问题
过快的充电会导致激烈的米勒震荡，但过慢的充电虽减小了震荡，但会延长开关从而增加开关损耗。MOS 开通过程源级和漏级间等效电阻相当于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻一般低压 MOS 只有几毫欧姆）的一个转变过程。
比如一个 MOS *电流 100a，电池电压 96v，在开通过程中，有那么一瞬间（刚进入米勒平台时）MOS 发热功率是 P=V*I（此时电流已达*，负载尚未跑起来，所有的功率都降落在 MOS 管上），P=96*100=9600w！这时它发热功率*，然后发热功率迅速降低直到完全导通时功率变成 100*100*0.003=30w（这里假设这个 MOS 导通内阻 3 毫欧姆）。开关过程中这个发热功率变化是惊人的。
如果开通时间慢，意味着发热从 9600w 到 30w 过渡的慢，MOS 结温会升高的厉害。所以开关越慢，结温越高，容易烧 MOS。为了不烧 MOS，只能降低 MOS 限流或者降低电池电压，比如给它限制 50a 或电压降低一半成 48v，这样开关发热损耗也降低了一半。不烧管子了。
这也是高压控容易烧管子原因，高压控制器和低压的只有开关损耗不一样（开关损耗和电池端电压基本成正比，假设限流一样），导通损耗完全受 MOS 内阻决定，和电池电压没任何关系。
其实整个 MOS 开通过程非常复杂。里面变量太多。之就是开关慢不容易米勒震荡，但开关损耗大，管子发热大，开关速度快理论上开关损耗低（只要能有效抑制米勒震荡），但是往往米勒震荡很厉害（如果米勒震荡很严重，可能在米勒平台就烧管子了），反而开关损耗也大，并且上臂 MOS 震荡更有可能引起下臂 MOS 误导通，形成上下臂短路。
所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。*终就是找个平衡点（一般开通过程不过 1us）。开通损耗这个*简单，只和导通电阻成正比，想大电流低损耗找内阻低的。
例
锂电池保护板做充放电开关使用
一般情况下，MOS都处于开或关的状态，不用考虑MOS的开关速度，会在整体电路上设计了快速关闭回路。
要注意以下几个点：
1，注意DS电压，设计选型留有足够的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作电流与保护电流，经验值是3~4倍以上为MOS的ID(DC) 。
3，多颗MOS并联，电流的余量尽量再大一点。
4，走大电流的方案，要综合考虑封装散热，内阻。
5，驱动电压要了解，尽量使MOS工作在完全开启状态，对于单片机驱动的方案，尽量低开启的MOS。
另外在选用MOS管时要注意沟道类型，BVDDS ，ID导通电流，VGS(th)，RDSON这几项参数。
