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压力传感器零点漂移
造成压力传感器的零点漂移的主要有以下几个原因：
1.应变片胶层有气泡或者有杂质
2.应变片本身性能不稳定
3.电路中有虚焊点
4.弹性体的应力释放不完全；此外还和磁场,频率,温度等很多有关系。电漂或一些漂移都会存在，但我们可以通过一些方式缩小其范围或修正。
零点热漂移是影响压力传感器性能的重要指标，受到广泛重视。上认为零点热漂移仅取决于力敏电阻的不等性及其温度非线性，其实零点热漂移还与力敏电阻的反向漏电有关。在这点上，多晶硅可以吸除衬底中的重金属杂质，从而减小力敏电阻的反向漏电、改善零点热漂移，提高传感器的性能。
根据上图显示，固晶层缺陷会造成的热阻增大，影响散热性能，具体的影响程度与缺陷的大小有关。测量结壳热阻：这两次测试的分别：次测量，器件直接接触到基板热沉上；第二次测量，器件和基板热沉中间夹着导热双面胶。由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳之外，因此结构函数上两次测量的分界处就代表了器件的壳。如下图所示的曲线变化，可得出器件的热阻。结构无损检测：同批次产品，取固晶层完好、边缘缺陷以及中间缺陷的样品测试。
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缩小电漂移和修正电漂移还有哪些方式呢，零点电漂移除了影响压力传感器的测量精度和降低灵敏度之外，还有哪些重要影响呢。
利用零点电漂移可以消除压力传感器的热零点漂移，所谓零点漂移，是指当放大器的输入端短路时，在输入端有不规律的、变化缓慢的电压产生的现象。产生零点漂移的主要原因是温度的变化对晶体管参数的影响以及电源电压的波动等，在多数放大器中，前级的零点漂移影响，级数越多和放大倍数越大，则零点漂移越严重。漂移的大小主要在于应变材料的选用，材料的结构或是组成决定其稳定性或是热敏性。
工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管，量产后发现坏品率偏高，经重新计算分析后，换成了一颗5A的MOS管，问题解决。为什么用电流裕量更小的器件，却能提高可靠性呢？工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量，却很容易忽视热耗散设计，案例分析我们放到后说，为了帮助理解，我们先引入一个概念：其中Tc为芯片的外壳温度，P D为芯片在该环境中的耗散功率，Tj表示芯片的结点温度，目前大多数芯片的结点温度为150℃，Rjc表示芯片内部至外壳的热阻，Rcs表示外壳至散热片的热阻，Rsa表示散热片到空气的热阻，一般功率器件用Rjc进行计算即可。
两类方法适用于不同类型的风口，测量方法选择不当是造成结果差异大的可能原因。直接法测量，顾名思义，即通过风量罩直接测得风量值。适用性较广，尤其是出风口气流分布不均匀（散流、旋流等）的场合。但须注意风量罩对适合测量的风口有尺寸限制（风口尺寸较风量罩尺寸不可过大或过小）。间接法测量，通过风速仪测得风速值，再通过计算得出风量值。间接法测量对出风口气流分布要求较严格（即气流分布尽量均匀）。在风口气流分布较均匀的场合，直接法与间接法测量结果大致接近。
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材料选好后的加工制成也很重要，工艺不同，会生产出不同效果的应变值，关键也在于通过一些老化等调节后，电桥值的稳定或程规律的变化。
漂移的调节手段很多，大都根据厂家的条件或生产需求所决定，大多数厂家对零点漂移都控制得很好。温度调节可通过内部温度电阻和制热零敏度电阻补偿、老化等。
对于采用电路转换的变压器中，电路部份的漂移可用通过选用好的元器件和设计更合适的电路来补偿。应变材料要选灵敏系数高、温度变化小的材料。stwg139wei
电絮凝法处理废水是利用铝或铁阳极溶出，原位生成高活性的多形态聚铝或聚铁絮凝剂，将水体中污染物微粒聚集成团并沉降或气浮分离的除污工艺。电絮凝法具有效率高、泥量小并易于固液分离、无需外加药剂、二次污染少、操控和设备维护简单、易于自动控制和终出水中溶固（TDS）小等优势，现已逐渐成为处理重金属、氟离子以及染料等无机、有机废水的有效方法。电絮凝技术的历史久远，1889年伦敦首先建成电絮凝法处理海水与电解废液的车间。
定量指的是待分析物的含量质谱可以通过分子量信息定性。质谱信号强度与待分析物含量的关系任何定量分析方法都需要建立实验测量信号与待分析物的量的关系。很幸运的是，在质谱中，通常也可以建立这样的关系，因此质谱信号是可以用于定量的。既然问题是“质谱是怎样做到定量的？”，我们不妨把质谱信号的产生按时间顺序粗略分为三个步骤，即离子的产生，传输与检测。产生离子时，不同样品分子的电离通常是相互独立的。因此样品量越多，其产生的离子也就越多。
