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电学类仪器校准:数字多用表、高压表、功率表、多功能校准仪、交直流电源、绝缘电阻仪、泄漏电流仪、耐电压仪、线材测试机、晶体管图示仪、LCR电桥、插头线综合测试仪、安规综合测试仪、表面电阻仪、防静电仪、电子负载仪、数据采集器、变压器电量测试仪、LED光谱分析系统（积分球）、元件自动分析仪、电池测试系统、带电绕组温升测试仪等。
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光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。
以应用电力电子器件和计算机为代表的控制技术，对电能进行处理和变换，是其研究的主要内容。以来，电力半导体器件出现了几十种产品，但从理论、结构和工艺的创新、应用的广泛程度和持续的发展视角来看，功率二极管、晶闸管、可关断晶闸管(GO)和电场控制器件(GB1为代表堤几个发展平台，从每个平台又派生出若干相关的器件来。每一种器件的问世，都使得功率变换电路及其控制技术不断地革新。脉宽调制(IWM)电路、零电流(ZCS)零电压(ZVS等谐振软开关电路已成为功率变换电路的重要组成部分。
光敏电阻器的阻值随入射光线（可见光）的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1~10M欧,在强光条件（100LX）下，它阻值（亮阻）仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
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夏威夷岛上的基拉韦厄火山是世界上活跃的活火山。18年4月下旬，该火山开始出现活动增加迹象。18年5月3日，火山出现了条裂缝，即所谓的裂隙，紧跟着接连出现了19条裂隙，数达到2条。随着熔岩流和岛上毁坏情况相关图片的大量传播，火山活动情况引起了人们的广泛关注。此后，美国地质调查局(USGS)及其夏威夷火山观测站提供的和信息不断升级，并于218年5月15日，USGS警报级别从“橙色”变为“红色”，表明“重大火山喷发即将或已经发生，或者地面和空中都存在疑似危险的火山活动。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
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在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到波长的光线照射时，电流就会随光强的而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的。
CAN拓扑结构特点线性拓扑接线方式在IOS-11898-2中有高速CAN物理层规范，其中CAN网络采用总线形式的线性拓扑结构，如所示，线性拓扑CAN网络采用单一信道（总线）作为传输介质，所有的站点通过相应的硬件接口接到一条公共的总线上。线性拓扑阻抗匹配比较简单，只需要在主干的两端并上合适的终端电阻即可(2km内通常为120Ω)。线性拓扑线性拓扑结构是CAN总线布线规范中为常见的，线性拓扑结构中，常用的就是“手拉手”式的连接，如所示。 stwg139wei
