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L1和C1可消除信号中的尖峰波并抑制干扰。经L1、C1滤波后的信号接入到整流桥，再将从整流桥中输出的高压直流信号经过C2进行滤波后，即可得到电压Vi。在图2中，T1为高频变压器，它能够快速存储和释放能量，经高频整流滤波后即可获得直流连续输出。高频变压器T1的1脚和3脚为输入初始绕组，4、5两脚为反馈绕组，次级绕组分别为6，9脚和7，10脚(其中1，4，6，7为各绕组的同名端)。并且6，9绕组是主绕组，用它经进一步变换产生的+5V直流稳压电源可作为主电压源，即数字电压源(Vo1)；7，10绕组为辅绕组，用它经电容C8～C11滤波和78L05稳压产生的+5V直流稳压电源为辅电压源，即模拟电压源(Vo2)。鉴于在TOP221Y内的功率MOSFET关断瞬间，高频变压器的漏感会产生尖峰电压，另外，在1，3初始绕组上还会产生感应电压(即反向电动势)，而且二者又会叠加在Vi上，使电压严重增大，因而要求功率MOSFET能够承受高压。同时，还必须在漏极增加钳位电路，以吸收尖峰电压，保护TOP221Y内的功率MOSFET不受损害。本设计利用R1，C3，ZD1，D1组成钳位电路。当MOSFET导通时，T1的初始绕组的电压极性为(3端)为正，1端为负，此时D1截止，钳位电路不起作用；而在MOSFET截止的瞬间，初始绕组变为1端为正，3端为负，此时D2导通，尖峰电压就被R1和C3吸收掉。
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