HPC-20
设备概述
该装置是一种用于电子显微镜的镉涂层装置。 配备触摸屏和音序器控制,任何人都可以轻松全自动地对样品进行导电沉积处理。 采用空心阴极样品台,在低压放电下进行涂层,因此样品损坏很小。 由于空心阴极产生均匀的高密度等离子体,因此放置在圆柱形中的样品表面形成均匀厚度的 Os 膜,而不受样品高度或材料的影响。 由于公气仅注入空心阴极内部所需的量,因此消耗较少,未反应的气体通过活性炭陷阱吸附和去除,从而抑制了有害气体向大气的排放。
用途
用于 SEM 和 TEM 的镉涂层设备。 由于颗粒尺寸小,可旋转性好,因此适用于高放大倍率观察应用和复杂形状的样品。 极薄膜的欧丝导电涂层也适用于EBSD分析、奥格分析和X射线分析。
主要产品规格
项目 | 规格 |
电源 | AC100V(单相100V15A)1口 带接地线的3芯插头使用(3m) |
设备尺寸 | 宽度 470mm,深度 400mm,高度 412mm (重量 25Kg) |
旋转泵 | 宽度 120mm,长度 290mm,高度 250mm 排气速度 30l/min 特殊机油旋转泵 (重量 11Kg) |
样品室尺寸 | 内径 120mm,高度 77mm(由硬玻璃制成) |
电极 | 阳极:±110mm 阴极:内径±108mm,深度35mm (根据本公司的空心阴极方式) |
样品阶段尺寸 | ±98mm,浮动安装在空心阴极内 |
可安装样品尺寸 | ±98mm,高度 45mm,包括样品台 |
奥斯米姆安培标准 | 厚度:±12.8mm以内 高度:尺寸滚筒型60mm以下、安培型65mm以下 |
OsO4 消耗量(使用次数) | 每根1g安培约100次(标准使用条件) (使用次数因使用频率和成膜时间而异) |
双语显示功能 | 配备日语和英语显示切换功能 |
TVS-40T
操作屏幕
本装置是将TEM支架储存在无油真空下的装置。 通过使用本装置,可以大大减少污染的附着力。
因为它存储在一个独立的真空室,它可以单独进出。 TEM 支架端口根据客户的 TEM 支架进行制造。
关于 TEM 支架
配备四个 TEM 支架端口。 为支架创建端口。 可以对应TEM制造商各公司的特殊支架。
由于独立排气系统,在更换支架时,其他存储支架不会暴露在空气中。 带玻璃窗(NW40 法兰),可查看每个支架样品部分
可操作性
配备触摸屏,操作简单。 配备通过程序控制的自动排气顺序和联锁控制。
泵的维护时间将在屏幕上显示并通知。
主要产品规格
项目 | 规格 |
电源 | AC100V、10A。 使用带接地线的3芯插头。 |
设备尺寸 | 宽度 585mm,深度 555mm,高度 392mm(深度尺寸因 TEM 支架而异) (设备重量 36 kg) |
排气系统 | 20L/min 隔膜泵(外部) 67L/sec 涡轮分子泵(内置设备) |
达到真空度 | 5x10-4Pa 或更少 |
真空测量 | 全范围真空计 |
MSP-40T
该装置是多用途简易操作型磁控溅射成膜装置。 小型台式和小型空间装置允许通过强磁场形成多种金属。
关于必需实用程序
氩气
二次侧压力 0.05MPa 至 0.08MPa,连接 1/4 英寸世伟洛克
水冷机构
流量1升/min,连接φ6mm世伟洛克
冷却水循环装置或自来水需要连接。
该装置是多用途简易操作型磁控溅射成膜装置。
小型台式和小型空间装置允许通过强磁场形成多种金属。
由于样品在低电压下涂层,并且样品是浮动的,因此可以减少样品损坏。
通过触摸屏操作、配方功能和音序器控制实现全自动溅射沉积。
主要产品规格
项目 | 规格 |
电源 | AC100V(单相 100V)3 芯插头,带 15A 接地线 |
设备尺寸 | 宽度 504mm,深度 486mm,高度 497mm (设备重量 37.7kg) |
隔膜泵 | 宽度 170mm,深度 287mm,高度 173mm (重量 6.5 kg) |
样品台尺寸 | 直径50mm(阳极电极分离浮动方式) |
电极-试样台间隔 | 115mm、95mm、70mm (包括高度不同的样品台) |
目标金属 | ITO、Ti、W、Cr、Al、Ni、Fe、Ge、Zr、Mo、Cu、Ta、卡邦等 贵金属目标(使用磁场消除镍板) Pt、Pt-Pd、Au-Pd、Pd、Ag |
VC-100S/VC-100W
该设备使用旋转泵进行碳沉积,同时使用皮拉尼仪表监控真空度。 通过不断蒸发一定量的碳,可以进行高度可重复的碳沉积。
碳源请使用更换芯SLC-30。
有一对 100S 电极和两对 100W 电极。 100W 是开关开关,涂层厚度是开关的两倍。
内置旋转泵 (RP) 的集成。 请安装在坚固的工作台上,以免与RP的振动产生共鸣。 不需要水冷。
用途
它是一种碳膜创建设备,用于 TEM、SEM 和 X 射线分析。 用于防止树脂嵌入样品的充电。 100W 用于创建特别厚的碳膜,如 XMA 和 FIB 样品的保护膜。
主要产品规格
项目 | 规格 |
电源 | AC100V(单相 100V15A) |
设备尺寸 | W305mmxD370mmxH442mm |
设备重量 | 29 kg(内置旋转泵) |
样品室尺寸 | 内径120mmx高度140mm |
沉积源 -样品台间隔 | 可在 45mm 至 75mm 范围内调节 |
样品阶段尺寸 | 直径 100mm |
VE-2013
VE-2013 是一种简单的真空沉积设备,继承了 VE-2030 的概念。 紧凑的外壳,将 TMP 内置到外壳中。 因为它是桌面类型,它不占用任何位置。 RP 地板。
小型 TMP+RP 排气系统以低廉的价格提供清洁、高真空的沉积设备。 它废除了复杂的排气操作,仅对触摸屏开关进行开/关全自动控制。
使用钨篮,可以沉积金、铝、铬、银等。 碳沉积使用夹紧沉积枪类型,该枪使用碳 (SLC-30) 进行沉积。 (不能使用φ5mm碳棒。 )
购买时,您可以选择碳沉积电极或金属沉积电极。 根据选项,您还可以购买额外的电极。
碳沉积电极
碳沉积电极。
可在高真空区域进行碳沉积,实现具有优异膜质量和膜强度的碳沉积。
随附的防污盖将碳沉积的散射范围降至*低,从而减轻了清洁负担。
碳沉积源使用碳 (SLC-30)。
金属沉积电极
φ0.5mm 钨篮金属沉积电极。
金、铝、铬等的沉积很容易做到。 随附的防污盖*限度地减少了沉积范围,并减轻了清洁负担。
主要产品规格
项目 | 规格 |
电源 | AC100V(单相 100V15A) |
设备尺寸 | 宽度 428mm,深度 430mm,高度 550mm (设备重量 38 kg) |
旋转泵(外部) | 排气速度 50l/min (G-50DA) (重量 11kg) |
涡轮泵(内置设备) | 排气速度67l/秒 |
样品阶段 | 直径 72 毫米 |
沉积源 -样品台间隔 | 可在 0mm 至 140mm 范围内调节 |