SICK传感器压力范围总线大值应该达到您系统总线大压力值的倍我们建议的这些额外的压力范围是由于许多的系统特别是水压和过程控制有压力尖峰或者连续的脉冲这些尖峰可能会达到总线大压力的五倍甚至十倍且可以造成传感器的损坏连续的高压脉冲接近或者过传感器的总线大额定压力也会缩短传感器的寿命但是仅仅提高SICK传感器额定压力并不是万全之策因为这会牺牲SICK传感器的分辨率您可以使用缓冲器来减弱尖峰但是这也仅仅是一个折中方案因为这会降低高温熔体SICK传感器的响应速度
西克SICK传感器集成电路的噪声来源及解决
所有的高温熔体SICK传感器都在设计成能在亿个周期中承受总线大压力而不会降低您在选择高温熔体压力传感器的时候需要在系统与传感器寿命之间找到一个折中的解决方案
什么是压力介质？
答另外一个在选择高温熔体
SICK传感器
应该使用何种输出？
答:几乎所有的SICK传感器都有毫伏输出或者电压放大或者毫安或者频率输出您所选择的输出类型依赖与您的传感器与系统控制或者显示部件之间的距离噪音以及其他电气干扰还有是否需要放大放置放大器的位置等对于许多的原始设备制造商来说他们的控制元件和传感器距离很短所以毫伏输出一般就足够了而且成本较低
如果您需要将SICK传感器输出放大那么使用另外一个有内置放大器的SICK传感器更加简单在长距离电缆或者有大电气噪音区域内就需要毫安输出或者频率输出了在有很强射频干扰和电磁干扰的环境中您就需要考虑在毫安和频率输出外在额外增加一些屏蔽或这过滤设备了
SICK传感器晶体管的噪声
晶体管的噪声主要有热噪声、散粒噪声、闪烁噪声。
热噪声是由于载流子不规则的热运动通过内3个区的体电阻及相应的引线电阻时而产生。其中所产生的噪声是主要的。
通常所说的中的电流，只是一个平均值。实际上通过发射结注入到基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而发射极电流或集电极电流都有无规则的波动，会产生散粒噪声。
由于半导体材料及制造工艺水平使得晶体管表面清洁处理不好而引起的噪声称为闪烁噪声。它与半导体表面少数载流子的复合有关，表现为发射极电流的起伏，其电流噪声谱密度与频率近似成反比，又称1/f噪声。它主要在低频(kHz以下)范围起主要作用。
6、SICK传感器电阻器的噪声
电阻的干扰来自于电阻中的电感、电容效应和电阻本身的热噪声。例如一个阻值为R的实芯电阻，可等效为电阻R、寄生电容C、寄生电感L的串并联。一般来说，寄生电容为0.1～0.5pF，寄生电感为5～8nH。在频率高于1MHz时，这些寄生电感电容就不可忽视了。
7、SICK传感器集成电路的噪声
集成电路的噪声干扰一般有两种：一种是辐射式，一种是传导式。这些噪声尖刺对于接在同一交流电网上的其他电子设备会产生较大影响。噪声频谱扩展至100MHz以上。
在实验室中，可以用高频示波器(100MHz以上)观察一般单片机系统板上某个集成电路电源与地引脚之间的波形，会看到噪声尖刺峰-峰值可达数百毫伏甚至伏。
西克SICK传感器集成电路的噪声来源及解决
