浉河区量具工具校正单位CNAS报告
电学类仪器校准:数字多用表、高压表、功率表、多功能校准仪、交直流电源、绝缘电阻仪、泄漏电流仪、耐电压仪、线材测试机、晶体管图示仪、LCR电桥、插头线综合测试仪、安规综合测试仪、表面电阻仪、防静电仪、电子负载仪、数据采集器、变压器电量测试仪、LED光谱分析系统（积分球）、元件自动分析仪、电池测试系统、带电绕组温升测试仪等。
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光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。
在这种采样率和分辨率下，可以看到许多波形细节。利用峰值检测和长记录长度捕获多个脉冲.利用峰值检测和长记录长度捕获多个脉冲对于这个信号，脉冲间隔过6.5毫秒。为了获得与相同的采样率的信号，时间窗口扩展了5万倍，通过增加时间/分割和记录长度来捕获更多的连续脉冲。(峰值检测采集也被用来使窄脉冲更明显。)如所示，这将占用产品的整个标准记录长度。然而在20毫秒的采集中只捕获了3个3.25纳秒的脉冲。在这种情况下，只有0.00005%的捕获是我们测试需要的。
光敏电阻器的阻值随入射光线（可见光）的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1~10M欧,在强光条件（100LX）下，它阻值（亮阻）仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
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在数控机床中，采用高端永磁交流伺服代替异步变频驱动似乎已成为标准。年代以来，欧美各国致力开发应用高速数控机床，在相同分辨率的情况下，工作台的进给速度获得到大大提升。当今数控系统机床更是突出高速、高精度、高动态、高刚性的特点。我们已经看到国产伺服在经济型的数控机床上的应用，但在中*机床上国产伺服仍达不到要求，性能是一个重要方面，稳定性和效应也是短时间内无法跨越的障碍。也是伺服系统应用较多的领域，工业拥有多个自由度，因此每台工业需要的伺服电机少则3-4台，多则1台以上。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
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在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到波长的光线照射时，电流就会随光强的而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的。
由于双电层电容的充放电纯属于物理过程，其循环次数高，充电过程快，因此比较适合在电动车中应用。双电层级电容是靠极化电解液来储存电能的一种*储能装置，其原理结构如图l所示。当向电极充电时，处于理想化电极状态的电极表面电荷将吸引周围电解质溶液中的离子，使这些离子附于电极表面形成双电荷层，构成双电层电容。由于级电容与传统电容相比，储存电荷的面积大得多，电荷被隔离的距离小得多，因此一个级电容单元的电容量就高达几法至数万法。 stwg139wei
