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电学类仪器校准:数字多用表、高压表、功率表、多功能校准仪、交直流电源、绝缘电阻仪、泄漏电流仪、耐电压仪、线材测试机、晶体管图示仪、LCR电桥、插头线综合测试仪、安规综合测试仪、表面电阻仪、防静电仪、电子负载仪、数据采集器、变压器电量测试仪、LED光谱分析系统（积分球）、元件自动分析仪、电池测试系统、带电绕组温升测试仪等。
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光敏电阻是一种特殊的电阻，简称光电阻，又名光导管。常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。
安装规范：当使用天然气、人工煤气或比重小于0.75的混合气时，可燃气体探测器距释放源中心的安装距离不应大于4m，两探测器安装间隔不应大于8m，距通风口，窗户应大于0.5m。当空间高度过4m时，应设置集气罩或分层设置探测器。集气罩应设置在距释放源上方4m左右的位置，集气罩面积不得小于1㎡，探测器安装在集气罩内。当不设集气罩时，可分上下两层设置探测器，上层距顶板0.3m以内，下层距释放源上方4m左右。
光敏电阻器的阻值随入射光线（可见光）的强弱变化而变化，在黑暗条件下，它的阻值（暗阻）可达1~10M欧,在强光条件（100LX）下，它阻值（亮阻）仅有几百至数千欧姆。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化。
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线性拓扑是CAN总线布线规范中为常见的，如果采用了线性拓扑中的“T”型分支连接，按规定分支长度是不能大于0.3m的，需要更长的分支应该怎么办呢？CAN拓扑分类CAN(控制器局域网,controllerareanetwork)属于工业现场总线的范畴，是一种有效支持分布式控制和实时控制的多主异步串行通信网络。CAN网络的拓扑结构主要有线性拓扑、星形拓扑、树状拓扑和环形拓扑，这几种拓扑的结构的特点如所示。
光敏电阻的工作原理是基于内光电效应。在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻，为了增加灵敏度，两电极常做成梳状。用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制作很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。
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在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴，这种由光照产生的电子—空穴对了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发产生的电子—空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。在光敏电阻两端的金属电极加上电压，其中便有电流通过，受到波长的光线照射时，电流就会随光强的而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也加交流电压。半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的。
电压暂降目前被*为电子制造业危害的电能质量问题。芯片测试仪:电压低于85%时，测试仪停止工作，芯片、主板被毁坏工业：由控制对金属部件进行钻、切割等精密加工的机械工具，为保证产品质量和安全，工作电压槛值一般设为90%，当电压低于此值、持续时间过40～60ms时，被跳闸。变频调速器：当电压低于70%且持续时间过120ms时，ASD被切除。而对于一些精细加工业中的电机，当电压低于90%且持续时间过60ms时，电机就会跳闸而退出运行。 stwg139wei
