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上述两类传感器工作原理为：当指纹中的凸起部分置于传感电容像素电极上时，电容会有所增加，通过检测增加的电容来进行数据采集。传感器中的像素点为45平方微米，间隔为5微米，电容像素阵列的分辨率略高于5dpi。这类传感器基于一种标准的单-多晶硅三层金属CMOS工艺，并采用.5微米工艺进行设计。金属互连的第三层构成电容像素层，由氮化钛制成并覆盖着一层氮化硅，厚度仅为7埃米。这种硬金属电极与抗磨涂敷层组合形成的传感器十分坚实耐用，使用寿命可以达到很多年。
4WE6C73-6X/EG24N9K4
4WE6G6X/EG24Z5L
4WE6J6X/EG24N9Z4
4WE6E60/EG24N9K4/62
4WE6Q62/EG24NPK33L
4WE6J62/EW110N9K4
4WE6J6X/EW110N9K4/62
4WE 6 J6X/EW110N9K4/V
4WE6D62/EW110N9K4
4WE6D6X/EW110N9K4
4WE6D6X/EW230N9K4/V/60
4WE6D6X/OFEG24N9K4
4WE6D6X/OFEG220N9K4
4WE6D46-62/OFEG24N9K33L.SO407
4WE10D33/OFCG220N9K4/B10
4WE10MA33/OFCG24N9K4/V R900765089
4WS2EM10-51/60B11T315K31CV-114
4WS2EM10-51/90B11T315K31CV-114
4WEH32M6X/6EG24N9K4
4WEH10J4X/6EG24N9EK4/10B8S0269
4WEH10J4X/6EG24N9EK4/B10
4WEH32J6X/6EG24N9K4
4WEH16EB70/6EG24N9EK4/B10D3
4WEH10J45/6EG205N9ETS2K4
4WEH10J20/6AG24NETS2Z4
4WEH10J4X/6EG24N9ETS2K4
4WEH10D45/6EG205N9ETS2K4/B10
4WEH10E45/6EG205N9ETS2K4
4WEH16HD7X/OF6EG24N9ETK4/B10
4WEZ16E150-7X/6EG24N9EK31F1D3M
4WRZ16E150-70/6EG24N9ETK4/D3M
4WR225EA325-70/6EG24N9K4/D3M
4WRZ25EA325-70/6EG24N9K4/D3M
4WRE6V16-21/G24K4/V
4WREE6V08-20/G24K31/A1V
4WREE6V16-22/G24K31/AIV
4WREE6WA32-22/G24K31/A1V
4WREE6W1-08-2X/G24K31/F1V+插头
4WREE10W75-2X/G24K31/A1V
4WREE10W3-50-2X/G24K31/AIV
4WREE6E1-32-22/G24K31/A1R
4WREE6E1-32-22/G24K31/A1V
4WREE6E32-22/G24K31/A1V-655
4WREE6E1-32-2X/G24K31/F1V
4WRZ10E85-7X/6EG24N9EK4M
4WRZ16E150-7X/6EG24N9ETK4/M
4WRZ16W8-150-7X/6EG24N9ETK4/M
4WRZ16W6-150-7X/6EG24N9K4V
4WRZ25W8-220-7X/6EG24N9K4V
4WRZ25W9-220-7X/6EG24N9ETK4/M
4WRZ25W8-325-7X/6EG24N9ETK4/M
4WRZ32W1-520-5X/6A24N9ETZ4D3M
4WRZ32W8-520-7X/6EG24N9ETK4D3M+Z4
4WRZ32W9-520-7X/6EG24N9ETK4/M
B：出料成型情况反馈除了要有挤压模具号码标识清楚的料头之外，还要在料头上标识料头难以看出来的整体流向情况，如相交出料（表示在实际挤压过程中是两孔内侧慢外侧快引起）；相离出料（表示在实际挤压过程中是两孔内侧快外侧慢引起）；左长右短表示左支长右支短，并且要注明长短相差的量，因为中断锯到出料口的距离大约6米，所以通常A米/6米的形式表示长短相差的分量为每6米就相差A米，这样完善准确的表达才有利于修模人员的正确判断和维修。
