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LED研发一LED光源半导体芯片发热利用热像仪，工程师可以根据得到的光源半导体芯片发热红外热图，分析出其芯片在工作时的温度，以及温度的分布情况，在此基础，达到提高LED产品寿命的目的。二LED模块驱动电路在LED产品研发中，需要工程师进行一部分驱动电路设计，整流器电路模块。利用红外热像仪，工程师可以迅速而便捷地发现电路上温度异常之处，便于完善电路设计。三光衰试验LED产品的光衰就是光在传输中的信号减弱，而现阶段的LED大厂们做出的LED产品光衰程度都不相同，大功率LED同样存在光衰，这和温度有着直接的关系，主要是由晶片、荧光粉和封装技术决定的。
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但是亮斑处不是引起报警的源头，因为探伤对偏析的信号响应很弱。进一步磨抛进行500倍高倍分析解剖部位，将高倍放大到500倍，发现亮斑中心处有微小缺陷，见下图。图500倍显微组织发现微小裂纹。我们认为该缺陷才是引起探伤仪器报警的信号源。该缺陷粗略分析应该是气孔，由于在后续的锻造、精缎加工过程中形变成线状缺陷。但是*定性必须以电镜和能谱分析作为参考依据。当量大小，由下公式换算：平底孔和长横孔换算：从上面公式可以看出，当检测φ1.2平底孔换算成横截面同当量的长横孔为0.08mm当量。
