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使用“时间门”选择脉冲响应中的特定部分而其余部分。时间门在时域分析状态进行选取和配置。时间门选取的时间片段对应测试通道内的某一段位置，在时域分析模式选取时间门，对应电缆连接监控位置点，打开时间门后，切换到频域进行监测。测试方法：DUT为线缆，可以是10Ω~1kΩ内任意阻抗；被测电缆焊接50Ω同轴接头，如SMN;如果DUT为差分电缆，每个电缆对焊接两对50Ω同轴接头，每对接头外壳导体互联，并连接DUT层。
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LED的芯片其实就是个半导体，有如以下的IV曲线。反向电压如果加的过高，LED会因被击穿而损坏，所以很多时候我们需要去测量反向电压。若只是单纯要测量芯片的特性，基本上使用电源和万用表即可。主要可测试的项目包括正向电压、击穿电压、漏电流…测试LED的整体IV曲线特性几个参数正向电压:Vf击穿电压:Vr漏电流:IL这些项目的测试其实并不算困难，但必须要选对合适的测量仪器。若是选择了不适合的测量仪器，测试的值误差则会非常大。
