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4WE10Q3X/CG24N9K4+2*Z5L
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4WE10E-K10/AW220-50NDL
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4WE10J73-3X/10G24N9K4/A12
4WE10J-3X/AW220-220-00NPL
4WE10RB-3X/CG24N9K4+Z4
4WE10B3X/W230N9K4
4WE10J-1X/LW110-50NK4V
4WE10J-31/EG24N9K4+Z5L
4WE10D73-3X/CG24N9K4
4WE10U12-3X/CG24N9K4
4WE10E33/CG24N9K4
4WE10HA3X/CG24N9K4
4WE10HD45/OF6EG24N9EK4
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4WE10D3X/CG24N9K4
4WE10E3X/CG24N9K4
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一些用户采用将纯氨通入蚀刻储液槽的做法。这样做必须加一套PH计控制系统。当自动测得的PH结果低于给定值时，溶液便会自动进行添加。在与此相关的化学蚀刻(亦称之为光化学蚀刻或PCH)领域中，研究工作已经开始，并达到了蚀刻机结构设计的阶段。在这种方法中，所使用的溶液为二价铜，不是氨-铜蚀刻。它将有可能被用在印制电路工业中。在PCH工业中，蚀刻铜箔的典型厚度为5到1密耳(mils)，有些情况下厚度则相当大。
