日本photoscience碳化硅显微镜 SCM-100

发布时间:2023-02-09

日本photoscience碳化硅显微镜 SCM-100

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概述

GaN 和 SiC 作为下一代功率半导体受到关注,因为它们具有将功率损耗减半和减轻重量的能力。
晶体缺陷是 SiC 功率器件存在的问题,但可以使用 SCM-100 快速观察并进行分类。
 
SCM-100 具有向 SiC 样品晶体管的内置二极管施加预编程电流的功能。这是一种可以通过安装在显微镜上的相机拍摄缺陷来检测缺陷的设备,因为当施加电流时电流不流动的区域(缺陷)不会发光。可以用显微镜放大SiC样品表面,用摄像头监测可见光区的发射,观察原位缺陷生长情况。可以以*间隔捕获和保存图像。使用可选的Peltier冷却水冷却单元使SiC器件样品台的温度保持在80°C以下。

 

特征

用法

碳化硅器件



主要规格 SCM-100 *规格如有更改,恕不另行通知。

移动舞台40x40mm
XY移动距离±6.5mm
观察倍率在 16 英寸 LCD 上可变约 60 到 200 倍
相机PENTAX Q-S1 等效产品(可进行间隔拍摄,C 接口,带 AC 电缆)
镜片佳能变焦镜头 EF-S55-250mm F4-5.6 IS II
控制和数据处理PC(带 LAN 和 USB 端口)/OS:Windows®7/8
样品冷却装置(选项)冷却水循环器 EYELA CCA-1112
帕尔贴温度控制器 VTH-3500
直流稳压电源Texio PSW360L30Y1 *电压30V,*电流36A (30V/12A-10V/36A)
序列创建CSV 格式,从 USB 存储器读取
记录功能在内存中存储输出电压、输出电流和状态信息


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