参考图P+F倍加福NJ10-30GM50-E2-3G-3D传感器

发布时间:2023-08-15

参考图P+F倍加福NJ10-30GM50-E2-3G-3D传感器

Q:二八八 0802 零捌七

VX:一伍三 0802 零零一肆

参考图P+F倍加福NJ10-30GM50-E2-3G-3D传感器

介绍:

当一个线圈中电流变化时,该电流产生的磁通Φ也随之变感。产生的感应电势称为自感电势。变磁阻式传感器的结构如图1所示。它由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。铁衔铁相连。当衔铁移动时,气隙厚度δ发生改变,引起磁路中磁阻变化,从而导致电感线圈的电感值变化,因此芯和衔铁由导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成,在铁芯和衔铁之间有气隙,气隙厚度为δ,传感器的运动部分与只要能测出这种电感量的变化,就能确定衔铁位移量的化,因而在线圈本身产生感应电势e,这种现象称之为自大小和方向。

NBB2-F1-E2-V3         NBB4-F1-E2             NBB4-F1-E2-V3

NCB10-F17-E2          NBB1,5-F41-E2          NBB1,5-F41-E2-V3

NBB1,5-F41A-E2        NBB1,5-F41A-E2-V3      NBB2-V3-E2

NBB2-V3-E2-V3         NBB2-V3-E2-V5          NBB5-F9-E2

NBB5-F9-E2-V3         NBB5-F33-E2            NBB8-F33-E2


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