GEIC695HSC308电源顺丰速运
| IC695HSC308 |
| IC695ALG306 |
| IC695FTB001 |
| IC695LRE001 |
| IC695MDL765 |
| IC695PNC001 |
| IC695NKT002 |
| IC695DEM006 |
| IC695DEM004 |
| IC695ALG106 |
| IC695ACC003 |
| IC695ACC302 |
| IC695PBS301 |
| IC695ACC650 |
| IC695CRH037 |
| IC695ACC002 |
| IC695CRH038 |
| IC695ALG616 |
| IC695ACC400 |
| IC695CRH035 |
| IC695CRH034 |
| IC695CRH033 |
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| IC695CRH039 |
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| IC695ALG112 |
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| IC695CRH002 |
| IC695STK010 |
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| IC695CRH010 |
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| IC695CPE310 |
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| IC695CHS007 |
| IC695CMM002 |
GEIC695HSC308电源顺丰速运
在工业与新能源行业,本次展示的这款工业与新能源发电用三电平IGBT模块,采用了T型三电平拓扑。半桥部分采用了1200V第7代IGBT,而交流开关部分采用了650V第7代IGBT。这款三电平模块具有200A和400A两个电流规格。优化的封装设计使得该模块可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置,简化电路设计。
在轨道牵引行业,继3.3kV/185A、3.3kV/375A和3.3kV/750A全碳化硅模块之后,三菱电机新开发了一款集成SBD的SiC-MOSFET模块,其规格为3.3kV/800A,它将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。
在封装结构和形式上,这款SiC MOSFET模块采用集成SBD的SiC MOSFET和优化的封装结构,与公司现有的硅功率模块相比,开关损耗降低了91%,与现有3.3kV/750A全SiC功率模块相比降低了66%。从而降低了变流器功率损耗,并有助于提高输出功率和效率,有效减少碳排放。此外,该款SiC MOSFET模块采用了LV100封装形式,可以通过不同的数量并联实现变流器的灵活功率配置,简化电路设计。
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Allen-Bradley(罗克韦尔),(施耐德),Siemens(西门子),GE(通用电气),ABB,Omron(欧姆龙),IFM(易福门),Emerson(艾默生),Fanuc(发那科),Foxboro(福克斯波罗),Westinghouse(西屋),Honeywell(霍尼韦尔),Panasonic(松下),Mitsubsihi(三菱),Beckhoff(倍福),Yaskawa(安川),Pepperl+fuchs(倍加福),B&R(贝加莱),Danfoss(丹佛斯),Fuji(富士),Festo(费斯托),Phoenix(菲尼克斯),Koyo(光洋),Yokogawa(横河),Heidenhain(海德汉),Hydac(贺德克),Hirschmann(赫斯曼),Keyence(基恩士),Moeller(穆勒),Kuka(库卡),Kollmorgen(科尔摩根),Lenze(伦茨),Rosemount(罗斯蒙特),LG,LS(产电),Rexroth(力士乐),Leuze(劳易测),Norgren(诺冠),Pilz(皮尔兹),Pro-face(普洛菲斯),SMC,Sanyo(三洋),Delta(台达),Turck(图尔克),Sick(施克),Sharp(夏普),Eaton(伊顿),bently (本特利)
1、主机
主机部分包括处理器(CPU)、程序存储器和用户程序及数据存储器。CPU是PLC的核心,它用以运行用户程序、监控输入/输出接口状态、作出逻辑判断和进行数据处理,即读取输入变量、完成用户指令规定的各种操作,将结果送到输出端,并响应外部设备(如电脑、打印机等)的请求以及进行各种内部判断等。PLC的内部存储器有两类,一类是程序存储器,主要存放和监控程序及对用户程序作编译处理的程序,程序已由厂家固定,用户不能更改;另一类是用户程序及数据存储器,主要存放用户编制的应用程序及各种暂存数据和中间结果。