库号：D389362
导电型号测试仪是严格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半导体材料导电类型的标准测试方法）中的热探针法及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。
本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在40‑60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）显示及检流计指示型号方向。仪器灵敏度分高、低两档，可在的电阻率（从高阻单晶到重掺单晶）范围内判别半导体材料型号。
参数
（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：
锗：非本征锗～10‑4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶测量结果；在室温情况下，整流法对于电阻率1－1000Ω·cm的硅单晶测量结果
（2）锗、硅单晶直径及长度：不受限制
（3）显示方式：由显示N和P的液晶器件直接指示，同时刻度为零位指示器也在指示型号，指针向左偏转被测样品为N型，指针向右偏转被测样品为P型
（4）探针：先用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在40‑60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法选用硬质合金作探针
（5）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，大功耗（热笔加热状态）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：约5.3 kg
导电型号测试仪是严格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半导体材料导电类型的标准测试方法）中的热探针法及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。
本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在40‑60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）显示及检流计指示型号方向。仪器灵敏度分高、低两档，可在的电阻率（从高阻单晶到重掺单晶）范围内判别半导体材料型号。
参数
（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：
锗：非本征锗～10‑4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶测量结果；在室温情况下，整流法对于电阻率1－1000Ω·cm的硅单晶测量结果
（2）锗、硅单晶直径及长度：不受限制
（3）显示方式：由显示N和P的液晶器件直接指示，同时刻度为零位指示器也在指示型号，指针向左偏转被测样品为N型，指针向右偏转被测样品为P型
（4）探针：先用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在40‑60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法选用硬质合金作探针
（5）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，大功耗（热笔加热状态）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：约5.3 kg
导电型号测试仪是严格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半导体材料导电类型的标准测试方法）中的热探针法及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。
本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在40‑60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）显示及检流计指示型号方向。仪器灵敏度分高、低两档，可在的电阻率（从高阻单晶到重掺单晶）范围内判别半导体材料型号。
参数
（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：
锗：非本征锗～10‑4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶测量结果；在室温情况下，整流法对于电阻率1－1000Ω·cm的硅单晶测量结果
（2）锗、硅单晶直径及长度：不受限制
（3）显示方式：由显示N和P的液晶器件直接指示，同时刻度为零位指示器也在指示型号，指针向左偏转被测样品为N型，指针向右偏转被测样品为P型
（4）探针：先用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在40‑60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法选用硬质合金作探针
（5）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，大功耗（热笔加热状态）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：约5.3 kg
导电型号测试仪是严格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半导体材料导电类型的标准测试方法）中的热探针法及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。
本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在40‑60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）显示及检流计指示型号方向。仪器灵敏度分高、低两档，可在的电阻率（从高阻单晶到重掺单晶）范围内判别半导体材料型号。
参数
（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：
锗：非本征锗～10‑4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶测量结果；在室温情况下，整流法对于电阻率1－1000Ω·cm的硅单晶测量结果
（2）锗、硅单晶直径及长度：不受限制
（3）显示方式：由显示N和P的液晶器件直接指示，同时刻度为零位指示器也在指示型号，指针向左偏转被测样品为N型，指针向右偏转被测样品为P型
（4）探针：先用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在40‑60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法选用硬质合金作探针
（5）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，大功耗（热笔加热状态）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：约5.3 kg
导电型号测试仪是严格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半导体材料导电类型的标准测试方法）中的热探针法及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。
本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在40‑60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）显示及检流计指示型号方向。仪器灵敏度分高、低两档，可在的电阻率（从高阻单晶到重掺单晶）范围内判别半导体材料型号。
参数
（1）可判别锗、硅材料的电阻率范围：
锗：非本征锗～10‑4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶测量结果；在室温情况下，整流法对于电阻率1－1000Ω·cm的硅单晶测量结果
（2）锗、硅单晶直径及长度：不受限制
（3）显示方式：由显示N和P的液晶器件直接指示，同时刻度为零位指示器也在指示型号，指针向左偏转被测样品为N型，指针向右偏转被测样品为P型
（4）探针：先用SEMI MF42-1105标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在40‑60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法选用硬质合金作探针
（5）电源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，大功耗（热笔加热状态）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：约5.3 kg
