库号:D389750
显示
屏幕: 5.6 英寸320*240点阵真彩TFT LCD或蓝色图形液晶显
示屏
精度: 实时显示:±0.2% F.S.
曲线显示:±0.5% F.S.
追忆精度:±0.2% F.S.
注意
~ 热电偶应去掉冷端。
处理器
采用高速、高性能的32位ARM微处理器,画面响应时间小于0.2
秒,可同时实现16路信号采集、记录、显示和12路报警
存储模块
采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据,采用串
行FRAM存储芯片存贮系统配置参数等关键信息
输入功能
输入规格:全隔离输入,1~16通道信号输入,通道间全隔
离,隔离电压大于1000V
隔离阻抗:20MΩ @ 1000V
电压输入:0-5V、1-5V、0-20mV、0-100mV(>1MΩ)
电流输入:0-10mA、4-20mA、0-20mA (阻抗 250Ω)
频率输入:频率信号(PI)(频率范围:0-30000HZ)
电阻输入:Res(0~400Ω)
热电阻:PT100、Cu50、G53、Cu100、BA1、BA2(要求三线
电阻平衡,引线电阻<10Ω)
热电偶:S、B、K、T、R、E、N、J
辐射高温计:F1、F2
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精度: 实时显示:±0.2% F.S.
曲线显示:±0.5% F.S.
追忆精度:±0.2% F.S.
注意
~ 热电偶应去掉冷端。
处理器
采用高速、高性能的32位ARM微处理器,画面响应时间小于0.2
秒,可同时实现16路信号采集、记录、显示和12路报警
存储模块
采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据,采用串
行FRAM存储芯片存贮系统配置参数等关键信息
输入功能
输入规格:全隔离输入,1~16通道信号输入,通道间全隔
离,隔离电压大于1000V
隔离阻抗:20MΩ @ 1000V
电压输入:0-5V、1-5V、0-20mV、0-100mV(>1MΩ)
电流输入:0-10mA、4-20mA、0-20mA (阻抗 250Ω)
频率输入:频率信号(PI)(频率范围:0-30000HZ)
电阻输入:Res(0~400Ω)
热电阻:PT100、Cu50、G53、Cu100、BA1、BA2(要求三线
电阻平衡,引线电阻<10Ω)
热电偶:S、B、K、T、R、E、N、J
辐射高温计:F1、F2
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曲线显示:±0.5% F.S.
追忆精度:±0.2% F.S.
注意
~ 热电偶应去掉冷端。
处理器
采用高速、高性能的32位ARM微处理器,画面响应时间小于0.2
秒,可同时实现16路信号采集、记录、显示和12路报警
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采用大容量并行NAND FLASH闪存芯片存贮历史数据,采用串
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输入规格:全隔离输入,1~16通道信号输入,通道间全隔
离,隔离电压大于1000V
隔离阻抗:20MΩ @ 1000V
电压输入:0-5V、1-5V、0-20mV、0-100mV(>1MΩ)
电流输入:0-10mA、4-20mA、0-20mA (阻抗 250Ω)
频率输入:频率信号(PI)(频率范围:0-30000HZ)
电阻输入:Res(0~400Ω)
热电阻:PT100、Cu50、G53、Cu100、BA1、BA2(要求三线
电阻平衡,引线电阻<10Ω)
热电偶:S、B、K、T、R、E、N、J
辐射高温计:F1、F2