EAC 模型是一种通过抛光斜面部分（半导体晶片的端面）和晶片前后表面的边缘部分来去除缺陷和不必要的薄膜的装置。 固定的磨粒允许进行物理抛光，而抛光目标没有选择性。 此外，配方可控的抛光头可实现对晶圆端面形状的高精度控制。