京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

发布时间:2025-12-31

近红外探测元件,装在表面安装的COB封装中。

 

InGaAs APD采用表面贴装COB(芯片板载)封装。
与之前的金属封装类型(G14858-0020AA)相比,它体积明显更小,适合安装在手持设备和移动设备上。


■特点
・低暗电流
・低电容
·高灵敏度
·小尺寸:1.6毫米 × 0.8毫米 ×0.7毫米
·无铅回流焊接

规格

接收光的表面尺寸φ0.2毫米
包装玻璃环氧树脂
封装类别表面贴装
灵敏度波长范围950 nm ~ 1700 nm
*灵敏度波长类型1550 nm
光敏感类型。0.8 空军/战役
暗电流上限。50 nA
破频类型。900 MHz
终端到终端容量类型。2.0 pF
击穿电压类型。65 V
击穿电压温度系数类型。0.1 V/°C
测量条件Ta=25°C,灵敏度:λ=1.55微米,M=1

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P

京都玉崎日本直供滨松光子InGaAs APD G15978-0020P


上一篇:接近开关 HR-621-M4-2...
下一篇:Z03-205-AV 射频导纳电...